GaN계 405nm 반도체 레이저를 이용한 근접장 광 기록재생

전문가 제언

○ 일반적으로 청색 LED는 가격이 저렴하기 때문에 사파이어 기판을 이용하는 경우가 많다. 그러나 GaN 기판을 사용하면 발광층 내의 결함밀도를 크게 줄일 수 있고 구동전류가 높은 영역에서의 특성을 개선할 수 있기 때문에 출력을 높일 수 있는 특징이 있다.

○ GaN 기판은 열전도도가 사파이어 기판보다 5배 정도 높고 도선성이 우수하기 때문에 구동전류가 높아져도 효율의 저하를 막을 수 있는 장점이 있다. 또한 발광층 역할을 하는 InGaN과 굴절률 차이가 GaN을 기판으로 사용하면 발광층에서 광이 GaN 기판과 발광층 계면에 반사가 일어나지 않는다.

○ 일본의 Matsusita 전기는 세계 최초로 GaN 기판을 이용한 청색발광다이오드(LED) 칩을 개발하여 이 청색 LED 칩을 이용한 백색 LED를 2007년 4월부터 양산체제로 들어갔다. GaN 기판을 이용함으로써 발광층 내에서의 결함밀도를 1/100 이하로 줄일 수 있고 광 추출 효율도 사파이어 기판보다 1.5배 이상 높일 수 있다.

○ 본문에서는 GaN계 405nm-LD가 현재 상용화된 것 중에서 거의 최단파장의 반도체 레이저이고 광 디스크 용도로는 거의 한계파장이라 하였으며, 굴절률이 높은 SIL에 의해서도 광 스폿사이즈를 작게 할 수 있지만 재료를 고려하면 GaN계가 광원으로써 최적이라고 설명하고 있다.

○ 우리나라에서도 연구소와 업계를 중심으로 GaN 활용에 대해 연구를 추진하고 있다. 특히 삼성코닝은 연구소 등과 공동연구로 GaN 기판의 시제품 생산을 끝내고 생산체제에 돌입하고 있다. 이 GaN 기판은 결함밀도와 제조기술 면에서 미국 일본 등과 대등한 최고 수준의 기술로 알려져 있다. 이러한 GaN 활용기술이 선진 경쟁업체에 뒤떨어지지 않도록 꾸준한 연구를 기대해 본다.

저자

Kimihiro SAITO, Masataka SHINODA, Tsutomu ISHIMOTO et al

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2007

권(호)

35(2)

잡지명

？？？？？？究

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

86~90

분석자

오*섭

분석물

• GaN계 405nm 반도체 레이저를 이용한 근접장 광 기록재생.pdf [238,365 byte]

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