내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

종형 트랜지스터의 고밀도메모리 가능성

전문가 제언: ○ 상보성 금속 산화 막 반도체(Complementary Metal Oxide Semi- conductor: CMOS)는 집적회로의 한 종류로 마이크로 프로세스나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는데 이용되고 있다. 전력 MOSFET은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 특정한 한 종류이다.

– 이것은 CMOS 기술의 발전으로 제조가 가능하여 졌으며 1970년대 후반 집적회로 제작 개발의 원동력이 되었다. 전력 MOSFET는 저전력 중 하나인 측면 MOSFET의 동작법칙을 공유한다.

○ 전력효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전개에 의해 전자 또는 정공이 흐르는 게이트(관문)가 생성되게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적회로에 적절해서 현재 집적회로에서 주류를 이루고 있다.

– 또한 박막 트랜지스터는 트랜지스터를 구성하는 반도체층이나 게이트 절연막, 전극, 보호 절연막이 진공 증착이나 스퍼터링, 플라즈마를 이용한 화학증착 법(플라즈마 CVD)으로 유리나 석영과 같은 기판 위에 얇은 막을 형성하여 제조하는 것이다. 최근에는 기판으로 플라스틱을 이용하는 연구개발이 활발히 진행되고 있다.

○ 우리나라의 연구기관(KAIST)에서는 세계에서 가장 작은 나노 전자소자를 개발하였다고 발표하였다. 이 나노 소자는 컴퓨터 CPU나 초소형 반도체, 플래시 메모리의 기초소자로 가능해 향후 차세대 정보통신 기기의 핵심부품 개발에 활용될 것으로 보고되고 있다.

○ 향후에도 이러한 나노 전자소자(FinFET)의 개발이 더욱 향상되어 소자부문의 발전에 크게 기여하기를 기대하는 바이다.

저자: Tetsuo ENDOH
자료유형: 학술정보