천이금속산화물에 의한 저항변화형 비휘발성 메모리

전문가 제언

○ 저항변화 메모리(ReRAM)는 전기적 신호에 의해 저항이 크게 변하는 특성을 가지는 비휘발성 메모리이다. 일반적으로 금속 산화물을 이용한 금속/절연체/금속(MIM: metal/insulator/metal)의 구조로 만들며 기존의 플래시램(FRAM) 보다 고속이고 저전압으로 동작할 수 있는 특징을 가지고 있다.

○ 플래시 메모리는 정보의 기록과 삭제가 느리고 저장 용량도 32GB급 이상의 제품을 만들기가 어렵다는 단점이 있었다. 이러한 단점을 극복할 수 있는 것이 저항변화 메모리(ReRAM)이다. 정보의 기록과 삭제도 플래시 메모리보다 빠르고 용량도 TB(1,000GB) 급으로 할 수 있는 것으로 알려져 있다.

○ 미국의 IBM, 일본의 샤프 등 선진국의 업체를 비롯해서 삼성전자 등 국내 몇몇 업체들도 ReRAM 관련기술을 개발하고 있지만 2005년 말 현재 아직 실용화할 수 있는 단계는 아닌 것으로 알려져 있다.

○ 국내연구 팀이 2005년 말 세계최초로 안정화된 저변화 물질과 공정 개발에 성공하여 ReRAM 핵심 원천기술을 선점하는 것은 물론 TB급 고용량 차세대 메모리 상용화를 몇 년 정도 앞당길 수 있는 것으로 발표되었다.

○ 향후에도 국내 대학 및 연구소에서 ReRAM에 대한 연구가 활발히 진행되고 국가차원에서 정부도 꾸준히 지원하여 또 다시 제2의 세계 반도체 강국으로 도약하는데 크게 기여하기를 기대하는 바이다.

저자

Akihito SAWA

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2006

권(호)

75(9)

잡지명

응용물리(A006)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1109~1114

분석자

오*섭

분석물

• 천이금속산화물에 의한 저항변화형 비휘발성 메모리.pdf [298,167 byte]

이미지변환중입니다.