내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

MRAM 기술과 스핀 주입 메모리

전문가 제언: ○ 자기저항 효과를 이용한 MRAM(Magnetic RAM)은 전원을 꺼도 계속 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리이다. MRAM은 Latch를 이용한 SRAM으로 읽어서 시간을 기록할 수 있고 DRAM을 나란히 복수로 배열해서 집적도를 높일 수 있으므로 원리적으로는 무제한 고쳐 쓸 수 있다.

○ MRAM의 기본동작인 읽기/쓰기는 각 적층(layer)에 형성된 스핀(spin)의 방향이 같으면 자화터널(magnetic tunnel)을 형성하여 전류를 통과시키게 되고 스핀의 방향이 다르면 통과시킬 수 없도록 하는 원리를 이용하고 있다.

○ 반도체 메모리의 종류를 전원제거 후 데이터의 저장여부에 따라 구별하면 휘발성 메모리인 DRAM, SRAM 등은 전원을 끄면 데이터가 저장되지 않고, 비휘발성 메모리인 FLASH, MRAM, PRAM, FeRAM 등은 전원을 꺼도 데이터가 저장되는 것으로 구분할 수 있다.

○ 차세대 메모리인 MRAM(Magnetic RAM)은 자성의 성질 중 스핀의 방향을 이용하는 것이고, PRAM(Phase-change RAM)은 물체의 상이 결정일 때와 비결정일 때 전기전도도 등이 차이가 나는 것을 이용한 것이며 FeRAM(Ferro-electric RAM)은 강유전체의 물질에 전극을 가하면 반대의 성질을 갖게 된다는 것을 이용한 것이다.

○ 이들 MRAM, PRAM, FeRAM은 기존의 FLAH 메모리와 용도는 같으나 플래시 메모리보다 천배 이상 빠른 데이터 처리속도를 가지고 있기 때문에 차세대 메모리로 현재 활발히 개발 중에 있다.

○ 우리나라 삼성전자에서는 최근 PRAM 연구개발에 주력하고 있으며 그 진행상항과 일부 성과에 대해 발표한 적이 있었다. 또한 일부 대학과 연구소에서는 MRAM에 대한 연구결과를 계속해서 발표하고 있다. 이들에 대한 연구가 더욱 활발히 진행되어 반도체 강국의 위상을 계속 유지하기를 기대하는 바이다.

저자: Hiroshi KANO
자료유형: 학술정보