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실리콘 인 조건에서 결정질 실리콘의 불완전한 이온화와 상태밀도에 대한 시뮬레이션 모델

전문가 제언: ○ 반도체 산업이 발전함에 따라 반도체 물성을 연구하고 이에 대한 연구 결과를 바탕으로 더 나은 반도체 소자를 만들기 위한 노력이 꾸준히 있어왔다. 반도체 물성을 관찰하여 이 특성을 모델링 하여 소자 시뮬레이션을 하려는 부분이 중요하게 여겨지고 있다. 정확한 물성 모델이 갖추어지면 더 나은 소자를 만들기 위한 시간과 노력이 단축되기 때문이다.

○ 본고에서는 그런 점에서 기존의 물성 모델을 개선하여 더 사실에 부합하는 모델을 구축하고 그에 대한 합리적인 설명과 실제 관찰 값과의 비교를 통해 그 실효성을 증명해 보이고 있다. 실리콘 결정에 인을 도핑하였을 때 이온화되는 도펀트의 상태와 실리콘의 상태에 관한 내용은 매우 유용하리라 본다.

○ 이전 모델들은 상온에서 대부분의 도펀트가 이온화 되는 것으로 인식하고 이를 수식화 하였지만, 실제로는 약 25%의 도펀트가 이온화 되지 않는다는 사실이 증명되었고, 이는 기존의 물성 모델이 가지고 있던 모순을 이해하고 풀어내는데 큰 기여를 한다는 점에서 중요한 의의를 가진다. 그리고 이러한 개선은 더 정확한 시뮬레이션을 가능하게 하여 실제 소자의 성능개선과 발전에 많은 도움이 될 수 있을 것으로 사료된다.

○ 이러한 과정은 기존의 다른 연구결과를 철저하게 분석함으로 시작되며 이는 내용에서도 주의 깊고 사려 깊게 자료를 분석하였다는 말이 나올 정도였다.(많은 자료를 검토하여 기존의 자료에서 중요한 의미를 도출해내 Ergersen의 발광자료에 따라 현재 존재하는 모델을 뛰어넘는 개선된 모델을 제시하고 있는 가치 있는 연구라 생각된다.

저자: Altermatt, PP; Schenk, A; Heiser, G; AF Altermatt, P. P.; Schenk, A.; Heiser, G.
자료유형: 학술정보