Cat-CVD법에 의한 질화실리콘박막의 저온퇴적기술

전문가 제언

○ 최근에 새로운 디스플레이 기판재료로, OLED(유기발광다이오드)는 백라이트가 없이 스스로 발광하기 때문에 두께와 무게를 대폭 줄일 수 있고, LCD보다 1,000배 이상 빨라 완벽한 동영상을 구현할 수 있으며, 차세대 디스플레이시장을 선도할 수 있는 핵심기술로 각광을 받고 있지만 이에 대한 국내기술 정착이 완벽하게 되어 있지 않은 단계이다.

○ OLED 기판재료는 350K 이상이 되어 산소와 수분과 접촉하면 열화하게 된다. 특히 플라스마 손상과 내부응력에 대해서도 취약한 특징이 있다. 이에 대비하여 Cat-CVD(촉매화학증착)법에 의해서 만들어진 투명한 질화실리콘(SiNx)막은 가스보호막으로서의 역할을 할 수 있을 것으로 기대되고 있기 때문에 이에 대한 기술개발이 시급하다.

○ 국내(예, 삼성SDI)에서도 OLED는 2006년도 말부터 세계 최초로 본격적인 양산에 들어갈 예정에 있어, 디스플레이 기술독립의 선봉장이 되고 있다. Nokia, Motorola 등이 내년부터 휴대전화 디스플레이로 LCD 대신 OLED를 단계적으로 채택할 계획에 있어 급성장이 예상되고 있다. 이 OLED에 적용될 수 있는 Cat-CVD법에 대한 국내에서의 기술정착이 급선무이다.

○ Umemoto 등은 Cat-CVD 과정에 H2의 첨가효과를 조사할 목적으로 진공자외 레이저흡수법에 의한 H 원자밀도의 측정을 행하였다. 아울러 실제의 제막조건과 그 막질의 관계를 분석하였는데, 여기에서 핵심이 되는 제조기술인 저온 형성 보호막에 관하여 언급하였다. 이러한 자료는 국내의 관련 산업계에 큰 도움이 될 것으로 예상된다.

○ 향후에는 SiNx 막과 유기평탄화막과 더욱 연한 무기소재막을 적층함에 의해서, 보호성과 내구성이 더욱 우수한 박막의 제조기술이 예견되고 있다. 또한 SiH4보다 값이 싸고 안전한 유기실리콘 화합물을 원료로 하는 제막기술 개발도 중요한 과제로 대두될 것이다.

저자

Hironobu UMEMOTO, Atsushi MASUDA, Hideki MATSUMURA, Toshiharu MINAMIKAWA

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2006

권(호)

55(2)

잡지명

재료(A054)

과학기술
표준분류

재료

페이지

142~147

분석자

유*천

분석물

• Cat-CVD법에 의한 질화실리콘박막의 저온퇴적기술.pdf [232,791 byte]

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