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트랜지스터형 강유전체 메모리 현황

전문가 제언: ○ 정보화 시대에는 각종 디지털 기기들이 사용되고 있고 기기 속에는 다양한 정보를 저장할 수 있는 메모리가 필수적으로 내장되어 있다. 특히 전원이 꺼져도 반영구적으로 자료를 저장할 수 있는 비휘발성 메모리는 정보통신기기의 소형화 및 개인화가 가속되면서 가볍고 얇고 저 소비전력인 각종 모바일 기기에 필수적인 부품이 되고 있다.

○ 지금까지 고집적화가 쉽고 가격 경쟁력이 가능한 D램은 전원을 차단하면 기록된 정보가 사라져 버리는 휘발성 메모리이기 때문에, 이를 대체하는 비휘발성 메모리가 연구 개발되고 있다. 이러한 차세대 메모리로는 자기메모리(MRAM), 상변화메모리(PRAM), 저항형메모리(ReRAM), 유기메모리(PoRAM) 및 강유전체메모리(FeRAM) 등이 있다.

○ 이 글에서는 다른 메모리에 비하여 비교적 고속이며, 저 소비전력의 특징을 가진 FeRAM에 대하여 논하였는데 현재 1Mbit 이하의 소규모 메모리로서 FeRAM이 양산되고 있으며 전자태그, IC 카드 등에 적용되고 있다. 그러나 256Mbit와 같은 대용량의 고집적 FeRAM의 제작이 어렵기 때문에 실용화를 위한 연구개발이 앞으로 과제다.

○ Tokyo 공업대학 등에서는 차세대용 FeRAM용 비즈머스 페라이트를 바탕으로 세계 최초로 기억 보유 능력이 현행의 5배 이상인 신 재료를 개발하였다. 이 재료를 이용하여 앞으로 256Mbit 대용량 메모리가 가능하게 되었다.

○ 우리나라도 FeRAM에 대한 연구가 삼성전자 등 산업체와 대학에서 연구 개발되고 있으며, 삼성전자는 4Mbit FeRAM을 이미 1999년도에 개발한 것으로 보고 되고 있다. 그러나 우리나라도 IT 강국으로서 메모리 분야에서 국제경쟁력을 갖고 차세대 반도체 메모리를 성장 동력으로 발전시키기 위하여 이 분야에 대한 연구 개발에 더욱 박차를 가해야 할 것이다.

저자: Hiroshi ISHIWARA
자료유형: 학술정보