저차원 나노 구조의 전기전도도

전문가 제언

○ 실리콘 반도체장치에 있어서 현재의 한계를 넘어선 새로운 나노전자장치의 설계와 제조기술을 확립하기 위해서는 전기전도도의 측정이 필수적인 정보가 될 수 있다. 특히 전자현미경 내에서 나노물질의 전기전도도를 측정하는 시험기를 개발하기 위해서는 저차원 나노 구조의 전기전도도를 측정하는 방법의 확립이 필수적이라고 생각된다.

○ 다탐침을 가진 STM(주사형 터널현미경)에서는 나노 구조의 전기계측이 자유롭고 능동적으로 이루어져야 하며, 원하는 장소에 복수의 나노 크기의 전극을 정밀하게 접촉시켜야 한다. 이를 위하여 본문에서는 다탐침 STM으로 갖추어야 할 요건에 대하여 상술하였으므로 STM을 연구개발하거나 이용하는 사람들에게 큰 도움을 줄 수 있을 것으로 생각된다.

○ 본문에서는 여러 가지의 저차원 나노 구조의 전기전도도를 다탐침 STM 및 이와 밀접하게 관련된 사항에 대하여 연구된 최근의 결과를 제시하였다. 특히 저차원 나노 구조, 즉 2차원의 무기 혹은 유기물질의 초박막, 1차원의 나노와이어와 나노튜브 및 0차원의 점조절 등의 전기전도도는 최근에 나노과학 및 나노기술 분야의 집중적인 관심의 대상이 되고 있다.

○ 국내에서도 새로운 나노전자장치의 개발과 분자전자학의 발전에 관심을 기울여야 할 시점으로 생각된다. 이 중에서 이미 실용화연구의 단계에 들어가 있는 원자스위치에 관한 기술 분야에 대하여 현실적으로 응용할 수 있는 적용방안을 찾아야 할 것으로 생각된다.

저자

Masakazu AONO, Tomonobu NAKAYAMA, Yuji KUWAHARA

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2006

권(호)

75(3)

잡지명

응용물리(A005)

과학기술
표준분류

재료

페이지

285~295

분석자

유*천

분석물

• 저차원 나노 구조의 전기전도도.pdf [220,734 byte]

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