유기 강유전성 기억장치

전문가 제언

○ 전원 공급이 중단되어도 장기간 안정적으로 데이터를 잃지 않는 불휘발성 기억장치는 앞으로 모바일 관련기기, 정보가전제품 등의 시장 확대가 예상됨에 따라 차세대 기억장치로 많은 관심과 연구가 집중되고 있다. 차세대 기억장치로 갖추어야 할 요건은 기존 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, 플래시 메모리의 불휘발성 및 SRAM의 고속 동작 등을 모두 갖추어야 할 것으로 생각된다.

○ 본 논문에서 다룬 FeRAM 기술은 SRAM 같은 빠른 읽기 및 쓰기 성능과 적은 전력소비뿐 아니라 불휘발성이기 때문에 차세대 기억장치로 주목되고 있다. 특히 K. Ishida 등이 강유전성 유기재료로 이용한 VDF(Vinylidene Fluoride) 올리고머의 강유전 특성이 기존의 강유전성 고분자인 P(VDF/TrFE) 보다 월등히 우수한 것으로 나타나, 향후의 진전이 기대된다.

○ 우리나라에서는 차세대 불휘발성 메모리의 종합적인 국가 연구개발 프로그램으로 산업자원부가 주관하여, 2004년 7월부터 8년간에 걸친 3단계 사업이 추진되고 있다. 현재 1단계(2004년 7월~2007년 7월) 사업으로 한양대학교 주체 하에 산학연 협동체계를 갖추고 0.1Tb급 차세대 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 소자 원천기술 개발 프로젝트가 진행되고 있다.

○ 최근, 포항공대 신소재공학과 장현명 교수 연구팀은 과학기술부의 국가지정연구실사업(NRL) 지원으로 백금 전극 상에 비스무스-네오디뮴-티타늄 산화물 계열의 신규 물질을 이용하여, 자발분극이 매우 크고 1,000억 회의 반복적인 쓰기-읽기 동작에도 정보가 손실되지 않는 성능의 불휘발성 메모리소자인 FeRAM용 커패시터를 개발하였다. 현재, 우리나라는 DRAM 반도체 메모리 분야에서 세계적인 경쟁력 우위를 확보하고 있음은 물론 향후 FeRAM 시대에도 세계 선두에 설 수 있는 원동력이 될 것으로 기대된다.

저자

Kenji Ishida, Shuichiro Kuwajima, Toshihisa Horiguchi, Hirofumi Yamada, Kazumi Matsushige

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2006

권(호)

26(2)

잡지명

기능재료(D323)

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

35~42

분석자

황*일

분석물

• 유기 강유전성 기억장치.pdf [240,043 byte]

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