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유기박막의 적층방위와 예측

전문가 제언: ○ 고도의 결정체인 적층(epitaxial) 박막은 고온 초전도체, 반도체, 유전체 등과 같은 분야의 응용과 연구 측면에서 매력적인 특성을 갖는 우수한 재료로서 선진국을 중심으로 연구개발이 활발하게 진행되고 있다.

○ 금속 표면에서의 적층 산화물 성장은 고온용 초전도체 테이프의 개발을 위한 적층 형판을 공급하는데 필수적인 기술이다. 금속에 적층 산화물을 증착할 때 금속 기판의 표면이 산화를 일으키는 가능성이 있다는 점이 핵심적인 문제이다.

○ 산화 박막이 성장하는 기판을 평가할 때는 박막과 기판간의 격자 대등성, 열팽창 대등성, 화학적 양립성 등이 중요한 요소가 된다. 기판에서 산화 박막이 성장하는데 가장 좋은 복합물은 (001)과 같은 정사각형평면의 방향을 갖는 것이다.

○ 대규모로 박막을 생산할 때는 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD)법이 매우 효과적이며, MOCVD법은 판상이 아닌 구조물의 표면에서 물리 기상 증착법보다 균일한 증착 속도를 얻을 수 있는 장점을 갖고 있다.

○ 복잡한 산화 박막의 성장을 위해 최근에 개발된 액상 적층(liquid phase epitaxy, LPE)는 액체가 기판과 접촉한 상태에서 박막이 성장하는 기술로서 단결정의 물성에 필적하는 성질을 갖는 적층 산화 박막을 만들 수 있다.

○ A. Hoshino가 유기의 적층성장(epitaxial growth)시 배향제어를 실현하는 과정에서 배향방위를 예측하는 기술에 관하여 정리한 ‘유기박막의 적층방위와 예측’에 관한 기술 자료는 초전도체, 반도체, 절연체 등과 전자산업 제품을 연구 및 개발하는데 매우 유익한 자료이다.

저자: Akitaka Hoshino
자료유형: 학술정보