Si1-xGex 버퍼 층의 변형 완화 및 전위 구조 제어
- 전문가 제언
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○ 근년, 정보통신기술의 급진적인 발전과 함께 정보통신시스템의 초고속 및 대용량화를 달성하기 위해서는 전자기기의 초소형, 다기능 및 고품질화가 선행조건이라 할 수 있다. 향후, 갈륨비소(GaAs), 인듐인화물(InP) 및 실리콘게르마늄(SiGe) 등과 같은 화합물 반도체가 실리콘 반도체와는 달리 광대역 폭을 잡음(noise) 없이 고속으로 지원할 수 있는 반도체이므로, 특수용도 분야의 소자재료로 시장규모가 증가할 것으로 전망된다.
○ 최근에는 Si계 반도체 디바이스의 기능 향상을 위해서, 채널영역으로의 적극적인 변형을 도입하는 수법에 의한 차세대 고속 디바이스로의 응용연구가 활발하다. 본 논문은 큰 변형을 가진 채널을 실현하기 위한 수법으로 Si(001) 및 SOI(001) 기판 상에 미끄럼전위(모자이크 구조화에 의한 결정성의 저하를 초래)가 아닌 인상전위에 의한 변형 완화 Si1-xGex 버퍼 층을 형성하는 새로운 헤테로 에피택셜 성장기술에 관한 연구이지만, 향후 버퍼 층의 결정성에 중요한 역할을 하는 전위의 구조 및 형태를 제어하는 기술의 확립이 관건이다.
○ 최근의 반도체산업 동향을 보면, 특히 화합물 반도체는 다품종 소량생산 품목이면서 제품의 수명이 매우 짧기 때문에 생산라인을 갖춘 업체조차도 자체 설비투자 대신에 파운드리업체(수탁 제조업체)를 이용하는 추세이다. 현재, 대만의 TSMC, UMC 등이 미국, 유럽 및 일본 등의 화합물 반도체 위탁생산업체로 호황을 이루고 있다.
○ 우리나라의 경우, 반도체 강국으로서의 위치를 굳건히 지키고 있는 것은 삼성전자 등 대기업의 역할이 크지만, 수백 개의 팹리스(fabless) 벤처기업(설계전문업체)의 존재도 무시할 수 없다. 팹리스 벤처를 활성화하기 위해서는 파운드리(위탁제조 또는 수탁생산) 업체의 육성이 시급하다. 국내의 팹리스 벤처기업이 중국, 대만의 파운드리 업체를 이용하는 것은 단순히 파운드리 서비스를 받는 문제를 넘어 기술유출의 위험을 간과할 수 없는 문제이다.
- 저자
- Noriyuki Taoka ; Akira Sakai ; Shogo Mochizuki ; Osamu Nakatsuka (etc.)
- 자료유형
- 학술정보
- 원문언어
- 일어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2005
- 권(호)
- 32(2)
- 잡지명
- 일본결정성장학회지(N098)
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- 89~98
- 분석자
- 황*일
- 분석물
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