과냉각 융액에서 Facet Si Dendrite의 성장기구

전문가 제언

○ Si 단결정 잉곳의 대구경화 육성은 설비투자가 크고 웨이퍼 절단 시 40~50% 정도의 파손으로 생산 원가절감 면에서 한계에 와 있다.

○ 태양전지 분야에서는 절단 손실을 줄이기 위한 방안으로 실리콘재료를 절단하는 공정이 없는 리본성장법과 같은 박막형 실리콘 결정성장법을 응용하여 원가절감에 크게 기여하고 있다.

○ 최근에는 단결정 잉곳의 대구경화에서 벗어나 직경 1mm 정도의 구상단결정 육성에 관심이 집중되고 있다. 구상 단결정은 표면적이 크고 절단 손실을 100% 줄일 수 있어 원가절감에 크게 기여할 것으로 기대된다.

○ 무용기 응고법에 의한 구형 단결정 육성은 기존의 Czochralski법(CZ)과는 결정성장 메커니즘이 근본적으로 달라서 결정성장 메커니즘의 규명 및 최적화 등이 해결되어야 하고, 구상단결정 표면에 집적회로의 설계기술 등 응용기술 개발이 선행되어야 한다.

○ 이러한 문제점 등이 해결되어 실용화될 경우 표면적이 큰 구형의 장점, 대량 생산 이용하여 제조원가 면에서 크게 개선될 것이 기대된다. 또한 칩 설계에서도 지금과는 전혀 새로운 기술개발이 기대된다.

저자

Kosuke Nagashio ; Kazuhiko Kuribayashi

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2005

권(호)

32(4)

잡지명

일본결정성장학회지(N097)

과학기술
표준분류

재료

페이지

314~324

분석자

오*갑

분석물

• 과냉각 융액에서 Facet Si Dendrite의 성장기구.pdf [252,137 byte]

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