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실리콘계 고이동도의 금속산화물반도체 트랜지스터 기술

전문가 제언: ○ 본 논문은 LSI의 고성능화를 위해 Si CMOS의 고구동력화를 실현하는 수단으로써 최근 주목받고 있는 MOS 채널의 고이동화 기술을 위하여 도입된 스트레인드 실리콘 기술에 대한 것이며, 저자는 지금까지 이 분야에 대한 많은 발표된 논문을 검토 정리해서, 문제점 제기에서 해결책까지 구체적으로 잘 설명하고 있다.

○ 금후의 SiCMOS 기술은 high-k 절연막이나 메탈게이트 전극 등과 더불어, 신 채널 구조, 재료 등을 총동원해서 발전하리라 예상한다. 그 중에서도 저전압에서 높은 전류를 얻는 것과, 캐리어 이동도나 캐리어 속도의 엔지니어링이 가장 핵심기술이다. 이를 위하여 재료과학과 극미세 소자의 전도기구에 관한 디바이스 물리의 심층 연구가 필요하다.

○ 서브 100nm 세대를 맞아 SiCMOS 디바이스 기술은 큰 전환점을 맞고 있다. 종래의 단순 스케일링에 의한 성능향상과 저소비 전력 하의 한계는 명백하여 결과적으로 90nm 기술 노드에 있어, 스트레인드 Si 기술이 도입되었다. 이 기술은 SOI 기술의 성능을 최고 20% 정도 향상시킬 수 있다고 했으며, 결국은 무어의 법칙을 90nm 혹은 이후까지 연장하게 되었다. 삼성전자, 인텔, IBM, AMD 같은 국내외의 유수한 반도체 회사들이 이 기술을 핵심 제조기술로 내세워 많은 투자를 하고 있다. 특히 일본은 메모리 반도체 분야에서의 한국에 대한 우위 탈환을 위해 많은 투자를 계획하고 있다. 한국도 디바이스 회사는 물론 자료, 장비 등 여러 반도체 회사들이 협력하여, 한국이 반도체 강국으로써의 현 위치를 계속 유지 발전하기를 기원한다.

저자: Shin-ichi TAKAGI
자료유형: 학술정보