실리콘의 화학물리학적 기능화와 도안화
- 전문가 제언
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○ 반도체와 마이크로전자 산업이 발전함에 따라 실리콘은 많은 물질 중 가장 중요한 물질로 이용되고 있다. 실리콘 구조의 재설계와 화학물리학적으로 변형에 대한 여러 가지 연구 중 실리콘의 화학물리학적 변형과 선침 긋기는 실리콘의 자동 기능화와 형식화의 한 방법으로 이 물질의 성질을 보다 더 적극적으로 활용할 수 있는 핵심기술이라고 생각한다.
○ 실리콘의 표면 조정을 위한 여러 가지 선침 기준의 방법에는 나노미터 규모의 석판인쇄, Si에 알킬 단일층의 나노 도안화, 스캐닝 터널링 현미경(STM)에 의한 자체 집합 단일층의 조정, 선침 펜 나노 석판인쇄, 유리 위에 지질 이중층의 조절 등이 있으며 이 기술이 산업에서 다양한 잠재적 응용 분야를 가지고 있다는 것을 시사해 준다.
○ 화학물리학적 방법에 의해서 실리콘의 도안화의 중요한 목표는 나노미터 차원의 특성을 가지는 표면을 만드는 것이다. 화학물리학적 도안화 방법의 단점은 선침 긋기 이후에 표면에 미반응 액체를 제거하는 것이다. 최근에 에틸렌, 아세틸렌 또는 공기 등의 반응성 가스 하에서 실리콘의 선침 긋기가 수행되어 이러한 SiSCR에서 기체상 조절 방법의 활용에 적극적으로 이용되어야 할 것으로 보인다.
○ 화학물리학적인 방법 중 하나는 단일층 형성의 구조와 메카니즘에 대한 개선된 특성분석이다. 실리콘의 화학물리학적 변형과 선침 긋기는 실리콘의 자동 기능화와 형식화를 위해 가장 저렴하고 가장 빠른 방법으로 생각된다. 또한 열적탈착 분광기와 진동 분광기가 새로운 물질의 구조연구와 이에 대한 이해를 증진시키는 데 많은 역할을 할 것으로 기대된다.
- 저자
- Yang, L; Lua, YY; Lee, MV; Linford, MR
- 자료유형
- 학술정보
- 원문언어
- 영어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2005
- 권(호)
- 38(12)
- 잡지명
- ACCOUNTS OF CHEMICAL RESEARCH
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- 933~942
- 분석자
- 김*원
- 분석물
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