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고내열 반도체 소자로 응용되는 탄화실리콘과 다이아몬드

전문가 제언
○ 전기전자, IT 분야에서 설계 및 기획 시의 주요 3가지 쟁점은 고온, 고압, 대출력 효율 극대화에 대한 해결 방안이다. 여기에 추가해 소재기술의 또 다른 목표인 경(輕), 박(薄), 단(短), 소(小)와 맥을 같이하는 고내열성 반도체 기술에 대하여 검토하였다.

○ 반도체 분야의 발전 과정에서 다음의 일정을 세운다고 가정할 때, 3세대, 4세대를 너무 멀게 잡았다고 불평할 독자가 있어야만 오히려 과학기술 발전이 앞당겨진다고 본다.

- 실리콘 제1세대 반도체 : 20세기
- GaAs+InP 제2세대 반도체 : 21세기 전반
- SiC+GaN 제3세대 반도체 : 21세기 후반
- 다이아몬드 제4세대 반도체 : 22세기

○ p-n 접합에 의한 전력 반도체 중 4H-SiC, PiN 다이오드와 사이리스터는 전력계통 전체에 미치는 영향이 클 소재와 기기의 국산화에 크게 기여했을 수도 있는 HVDC 고전압 직류송전 방식을 채택했으면 좋았을 것이다. 후회스럽지만, 지금이라도 시작하면 좋다고 추천해 본다. 첨단산업과 소재산업의 숙원을 풀어줄 기회니까. 장기적으로 중국, 러시아와 전력공급연계망 구성 시, 현 한전 345kV를 송전선, 철탑, 애자 등 거의 그대로 다 사용할 수 있는 DC 500kV에 적용하면 경제적이고, 주파수가 우리와 다른 50Hz인 중국, 러시아 문제도 쉽게 해결될 수 있다고 본다.

○ 다이아몬드와 탄화실리콘 반도체 응용과 활용은 대종을 이룰 각종 FET(Field Effect Transistor) 외에도 수없이 많은 분야별 연구 개발을 경주하면, 수출품 제조비의 60~70%를 차지하는 소재와 기자재의 수입을 대체할 수 있다고 추천한다.
저자
Willander, M; Friesel, M; Wahab, QU; Straumal, B
자료유형
학술정보
원문언어
영어
기업산업분류
재료
연도
2006
권(호)
17(1)
잡지명
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
과학기술
표준분류
재료
페이지
1~25
분석자
김*화
분석물
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