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RRAM 메커니즘의 유력한 가설

전문가 제언: ○ 미국과 일본․독일 등의 선진국에서는 기존의 전자 재료를 이용하여 기능성의 RRAM(Resistance Random Access Memory)을 제조하는 방법을 개발하여 플래시 메모리에 대한 더 빠르고 낮은 전력의 대체품으로 선진 기술의 저가 대량 생산의 길을 열게 되었다.

○ 우리나라에서도 RRAM에 대한 개발과 투자가 삼성과 하이닉스 등을 중심으로 활발히 진행되어, 현재에는 점점 기술적인 면에서 원천기술의 보유국인 미국과 일본을 능가하게 되었고, 새로운 제품의 개발을 연구하고 있어 메모리 사업에 크게 진보할 것으로 예측되며, 차세대 반도체 분야에서도 큰 발전이 있을 것으로 생각된다.

○ RRAM이 상용화(저가격화)하기 쉬운 이유는, 셀 면적을 최소 F2(F는 최소 설계 크기)로 작게 할 수 있고, 미세화를 하기위한 장벽으로 저해되지 않으며, 다치화가 가능하다는 점이다. 즉 RRAM의 포텐셜(potential)은 미세화와 다치화에 있다.

○ 한국전자통신연구원에서는 최근 세계 최초로 모트금속-절연체전이 (Mott metal-Insulator Translation)에 관한 가설을 입증하였다. 이러한 연구 성과는 반도체를 대처할 새로운 소자에 응용할 수 있어 향후 우리나라 소자산업에 막대한 부가 가치를 창출할 것으로 기대된다.