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RRAM 디바이스 제작법

전문가 제언: ○ 전자부품에서 메모리는 현재까지는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리가 그 주류를 이루고 있다. 하지만 앞으로 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, SRAM의 고속동작, 플래시 메모리의 비휘발성 모두를 갖춘 차세대 메모리를 개발하려는 많은 움직임이 있으며, 전자제품의 계속된 발전은 성능이 대폭 개선된 차세대 메모리를 요구하고 있다.

○ 차세대 반도체 메모리에는 내부 기본 단위인 셀을 구성하는 물질에 따라 PRAM(Phase-change RAM), FRAM(Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM), PoRAM(Polymer RAM) 등이 있다. RRAM은 PRAM과 비슷한 메커니즘을 사용하기는 하지만 물질의 상변화 없이 전압 또는 전류의 변화에 의해 박막의 저항이 변하는 성질을 이용한 것이다.

○ 저항 변화 특성을 이용한 이원 산화물 MIM 메모리 디바이스의 특성에 대해서는 1960년대부터 연구가 시작되어 왔다. 하지만 실제 메모리로의 응용이 고려된 것은 2000년 Liu et al.에 의해 전기 펄스로 저항이 변하는 비휘발성 메모리에 관한 논문이 발표되고 나서부터이다. 그 후 RRAM은 주로 희티탄석(perovskite)계 재료를 산화막으로 사용한 것에 대하여 연구가 이루어져 왔는데, 본문은 희티탄석 대신 2원 전이금속 산화물을 새로운 산화막 재료로 사용한 OxRRAM에 대한 연구 결과이다.

○ 우리나라는 삼성 전자가 10년 전 쯤부터 DRAM에서 선두주자를 달리면서 세계에서 메모리 강국이 되었고, 그 후 플래시 메모리에서도 많이 앞서가고 있다. 하지만 이제 DRAM과 플래시 메모리는 그 발전이 한계점에 다다르고 있기 때문에, 앞으로 우리나라가 계속해서 메모리 강국으로서의 위치를 고수하기 위해서는 차세대 반도체 메모리에 대한 지원을 아끼지 말아야 할 것이다.

저자: Oshita J.
자료유형: 학술정보