투명 산화물 반도체의 고품질 박막 성장(High-quality Epitaxial Films Growth of Transparent Oxide Semiconductors)

전문가 제언

□ 1997년, p형 투명 도전성 산화물이 발견되면서부터 전자회로를 구성하는 소자가 점차 투명화로 진전되고 있다. 최근, 투명 반도체의 응용분야는 평판 디스플레이에서부터 자동차 또는 투명 회로에 이르기까지 폭넓게 확대 적용되는 추세이다.

□ 향후, 트랜지스터나 다이오드 등 전자회로의 중요한 소자를 투명하게 만드는 것이 실현되면, 이러한 소자를 포함하는 전자회로 전체가 투명화될 가능성이 있으며, 컴퓨터는 전자회로가 집적되어 기능하는 것이기 때문에 머지않은 장래에 눈에 보이지 않는 컴퓨터가 탄생할 것으로 기대된다.

□ 최근, H. Ohta 등은 고온 펄스 레이저 증발법, 고상 에피택셜 성장법 및 독자적으로 고안한 반응성 고상 에피택셜 성장법의 3종류 기술을 활용하는 것에 의해 다양한 종류의 투명 산화물 반도체의 고품질 에피택셜 박막을 제작하는데 성공하였다.

□ 제작한 ITO 박막은 10,000Scm-1을 초과하는 높은 도전성(재현성이 있는 데이터로서는 세계 최고의 도전율)을 나타내며, 또한 가시광 영역 전체에 걸쳐서 투명하기 때문에 투명 전자회로에의 실용화 가능성이 매우 큰 것으로 판단된다.

□ H. Ohta 등은 상기의 박막을 적층하는 것에 의해 자외발광 다이오드, 자외선 검출기, 투명 트랜지스터 등의 광 및 전자소자를 실현함에 따라, 앞으로 다가올 투명 일렉트로닉스의 시대를 크게 앞당길 것으로 기대된다.

저자

Hiromichi Ohta

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2005

권(호)

25(4)

잡지명

기능재료(D323)

과학기술
표준분류

재료

페이지

22~29

분석자

황*일

분석물

• 투명 산화물 반도체의 고품질 박막 성장.pdf [164,688 byte]

이미지변환중입니다.