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메조 플라스마 CVD에 의한 기능 코팅(Meso plasma CVD for functional coating : ultrafast silicon thin film processing by means of cluster deposition)

전문가 제언
□ 간단히 말해서 플라스마는 원자가 고온에서 이온화된, 물질의 제4상태로서 원래 열 받은 고온 상태인데, Kambara와 Yoshida는 “열 플라스마”라는 말을 써서 논술을 시작했다. 어디 “냉 플라스마”가 따로 있는지 알고 싶다. 그리고 “열 플라스마“는 그들의 주장대로 “새삼스러운 박막화기술로서 재인식“해 주어야할 처지에 있지도 않다.

□ 이 신기술(역주; 아마도 열 플라스마)은 “감압분위기하에서 고밀도에 의한 고속적층상태를 유지하면서 가스온도를 비교적 저온으로 유지하는 것이 가능하고, 또한 전자 에너지가 낮아서 이온 충격이 억제된 반응환경을 제공한다.”고 추켜세우는 것을 보니 제목의 “메조 플라스마”가 “열 플라스마”인 것 같기도 하다.

□ 혼란과 미혹은 계속된다. “전자 에너지가 낮다.”면 높은 것은 얼마나 높고, 낮은 것은 얼마나 낮은지 도통 수치가 없어 오리무중이다.

□ “열 플라스마 · 저압 플라스마와는 다른 특성을 갖는, 수~수십Torr의 중간적 압력에서의 플라스마를 구별하여 메조 플라스마라고 부르기로”하였다니 열 플라스마는 고압(역주; 위에서는 감압)이고 “메조 플라스마”는 아닌 것이 분명하다.

□ 그들은 “메조 플라스마”라는 신조어를 만들어 냈는데, 이 중간 압력의 플라스마 보다 높거나 낮은 압력의 플라스마는 어느 범위의 압력을 유지하는지 정의하지도 않았고, 수치에 대한 언급이 전혀 없다.

□ “메조 플라스마 CVD 이용에 의한 실리콘 적층과 나란히 나노클러스터를 기본으로 한 고속적층기구의 연구를 소개한다.”고 하였는데 나노건 뭣이건 클러스터가 존재하면 이미 플라스마가 아니다.

□ 그들의 신기술에 의한 결과가 “적층속도 1μm/sec 이상이고, 종래의 저압 플라스마에 의하여 달성되는 수nm/sec의 천배 가깝다는 것이 판명되었다.”고 하니 놀라운 성과를 이루었다고 볼 수 있다. 실용성이 있는지 확인이 필요한 부분이라고 생각된다.
저자
KAMBARA Makoto ;YOSHIDA Toyonobu
자료유형
학술정보
원문언어
일어
기업산업분류
재료
연도
2005
권(호)
75(3)
잡지명
금속(A112)
과학기술
표준분류
재료
페이지
195~200
분석자
최*수
분석물
담당부서 담당자 연락처
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