Cat-CVD법에 의한 가스 배리어막의 저온 성형(Low-temperature Formation of Gas-barrier Films by Catalytic Chemical Vapor Deposition)

전문가 제언

□ 열화학기상퇴적(Thermal CVD)에서는 1,000℃ 이상에서 가능했던 공정을 PECVD(Plasma Enhanced CVD)에서는 글로 방전 플라스마를 이용하여 500℃ 이하의 낮은 온도에서 반응 가스를 분해하였다.

□ 이들 플라스마 CVD법에서는 플라스마를 사용함으로서, 박막의 손상에 의한 결함이나 디바이스 성능의 저하가 발생한다. 촉매에 의한 화학기상퇴적(Cat-CVD)법에서는 원료 가스와 가열매체와의 접촉분해를 이용하여 박막 성형 공정을 실온 가까이 끌어 내리는데 성공하고 있다.

□ Cat-CVD법에 의한 박막성형기술은 저온공정에 의하여 능률의 향상, 장치구성의 간편화에 의한 비용절감, 대면적에서의 고품질의 디바이스 제조에 기여하고 있다.

□ Matsuda 등은 실란(SiH4), 암모니아, 수소 가스를 이용하여 어모포스 실리콘, 미결정 실리콘, 질화 실리콘 배리어막을 성형하는데 성공하였다, 그 중에서 어모포스 실리콘, 미결정 실리콘 박막은 산소에 대한 배리어 특성에서 취약점이 노출되었다.

□ 질화 실리콘(SiNx)막은 80℃의 저온에서 성형되어도 수증기 및 산소에 대한 배리어 특성이 우수하고, 광 투과성도 좋아서, 플라스틱 및 태양전지 등 정밀 전자 디바이스에의 응용이 기대된다.

□ 국내에서는 다수의 연구기관과 대학에서 Cat-CVD법에 대하여 활발한 연구를 진행 중에 있다.

저자

Atsushi Masuda ; Toshikazu Niki ; Akira Heya ; Toshiharu Minamikawa (etc.)

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2005

권(호)

40(2)

잡지명

Ceramics Japan(C091)

과학기술
표준분류

재료

페이지

82~87

분석자

최*수

분석물

• Cat-CVD법에 의한 가스 배리어막의 저온 성형.pdf [192,480 byte]

이미지변환중입니다.