나노 프로세스 시대의 반도체 제조장치-이머젼 리소그래피용 트윈스캔 시스템

전문가 제언

□ 이 논문은 이머전 리소그래피 기술로 광학 리소그래피를 65nm 이하까지 확장할 수 있다는 것에 대하여 설명하였다.

□ 1997년에 발간된 SIA(Semiconductor Industry Association, USA)의 리소그래피 로드맵에 의하면 2012년에야 100nm 기술 장벽을 뚫는다고 예측했었다. 당시의 유력한 예비 장비로써는 EUV(Extreme UV), 전자빔(E-beam), 이온빔(Ion-beam), Proximity X-ray 등이 후보 기술로 제시되었었다. 그러나 이 기술들은 모두 나름대로의 기술의 난이점과 막대한 투자의 어려움이 내포되어 있었다.

□ 다행히 이머전 리소그래피 기술로 2~3년 후에는 65nm 기술이 반도체 시제품 생산에 적용될 가능성을 열어 주고 있다. 이 기술은 45nm, 더 나아가 32nm node까지 확장될 가능성이 있어 반도체에 대한 무어의 법칙이 수십 nm 영역까지 유효함을 보여 줄 것이다.

□ 물론 양산화까지 가기에는 아직 해결해야할 기술적 문제점이 많이 있으며, 이머전 액체의 온도구배를 적절히 조절하는 것과 기포화를 막기 위한 압력구배를 적게 하는 것 등이 중요한 기술적 과제들로 남아있다.

□ 현재 미국과 유럽, 대만의 여러 전문연구기관이나 반도체 제조회사들이 이머전 리소그래피 시제품을 평가하고 있으며, 일본 반도체회사들은 Nikon과 Canon의 이머전 리소그래피 시스템을 검토하는 것으로 알려져 있다. 한국에서도 대표적인 반도체 회사들이 곧 시험평가에 들어 갈 것으로 예상하며, 이로써 한국 반도체기술의 우위성을 계속 유지하리라고 기대한다.

저자

Bob Streefkerk

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2005

권(호)

44(3)

잡지명

전자재료(A124)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

27~31

분석자

이*길

분석물

• 나노 프로세스 시대의 반도체 제조장치-이머젼 리소그래피용 트윈스캔 시스템.pdf [172,676 byte]

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