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상압 웨이퍼 외주 에칭장치

전문가 제언
○ 이 자료는 최신 반도체 제조장치에 사용하는 상압 웨이퍼 에칭장치를 소개한 자료이다. 상압 플라스마를 이용해서 웨이퍼 외주부막(外周部膜)에서 파티클에 의해서 수율이 낮아지는 공법을 개선해서 웨이퍼 외주부의 상압 웨이퍼 에칭장치에서 마스크가 없이 외주 노광, 현상, 세정, 건조 등 공정 축소로 단기 납기, 필요한 비용을 줄일 수 있는 최신의 공법을 소개하고 있다.

○ 상압 웨이퍼 외부 에칭장치는 드라이 공정이 있기 때문에, 막의 종류나 공정 등에 제한 없이 사용이 가능하다. 차후 고집적화에 관한 신소재가 사용되면, 웨트 공정을 필요로 하지 않는 드라이 공정이 필수가 되므로 제품의 단가를 줄일 수 있는 획기적인 장치이다.

○ 유기막 EBR(Edge Bevel Removal) 처리에는, 레저의 조사 위치나 가스의 흐름을 제어함으로써 EBR 처리 폭을 쉽게 할 수 있다. 무기막 EBR처리에는, EBR 처리 유닛으로 쉽게 제어가 가능하다. 웨이퍼를 회전하여 사용하기 때문에, 마스크 사용 없이도 우수한 균일성을 얻을 수 있다. 앞으로, 유기막, 무기막을 동시에 처리하는 장치를 개발하고, 반도체 제조공정의 수율 향상에 기여할 수 있는 문제가 개발의 초점이 될 것이다.

○ 향후에도 반도체와 디스플레이 생산량 증가에 따라 세정시장의 규모는 성장할 전망이며 고집적 반도체 생산을 위한 정밀세정의 요구증대, 기존 세정의 문제점을 극복하고 반도체산업 효율증대를 위한 기업간 업무분담, 반도체의 고집적화, 구리 배선 기술적용 확대 등 반도체공정 신기술의 발전 등 외주 세정시장은 더욱 확대될 전망이다.
저자
Kunugi Shunsuke ; Nogami Mitsuhide ; Hasegawa Taira ; Noritake Takao (etc.)
자료유형
학술정보
원문언어
일어
기업산업분류
전기·전자
연도
2005
권(호)
44(3)
잡지명
전자재료(A124)
과학기술
표준분류
전기·전자
페이지
69~73
분석자
한*진
분석물
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