초미세 가공용 포토레지스트 재료의 진보(Resist Materials for Finery Pattern Fabrication)

전문가 제언

□ 현재 PC 프로세서는 130nm, 90nm 공정으로 제조되고 있고 2005년 말경에는 65nm 공정을 이용한 제품이 나올 것으로 예상되며, 인텔의 기술 로드맵에 따르면 2015년에 20nm 선폭 기술의 상용화가 가능할 것으로 전망하고 있다.

□ 국제 반도체 기술 로드맵에 따르면 2010년 25nm, 2016년 13nm 게이트 길이를 갖는 실리콘 트랜지스터 시제품이 출시될 것으로 예측된다.

□ 반도체를 생산하는 데 사용된 2성분계 포토레지스트는 DNQ/Novolak resin으로 g-선(436 nm), i-선(365 nm)에 사용되어 왔다. 0.5μm의 가공 선폭을 갖는 i-선 공정은 16Mb DRAM 생산을 가능하게 하였고, 고해상력의 리소그래피 장비 개발 및 포토레지스트재료 개발로 인해 0.26μm 이하의 해상도를 갖는 DNQ/Novolak 시스템의 포토레지스트가 개발되었다.

□ KrF(248nm) 엑시머 레이저 포토레지스트에 사용되는 고분자는 t-BOC 과 같은 보호기로 보호되어 있는 polyhydroxystyrene계 고분자와 photoacid generator를 기본으로 한 것이다. 엑시머 레이저 노광에 의해 PAG로부터 발생된 산이 확산하고, post exposure bake 과정에서 보호기가 탈보호 되어 수산기로 치환되고 약 알칼리 현상액에 용해되어 현상된다.

□ ArF(193nm) 영역의 포토레지스트용 고분자는 193nm에서 흡광도가 낮고 에칭 내성이 좋은 지환족 탄화수소의 고분자가 개발되고 있다.

□ Immersion 리소그래피는 노광 시 렌즈와 포토레지스트가 코팅된 wafer의 간극을 공기가 아닌 물로 채운 리소그래피로 ArF immersion 기술은 현재 40~50 nm half-pitch 패턴의 구현이 가능하다.

□ 차세대 리소그래피로는 F2 엑시머 레이저 리소그래피, EUV 리소그래피, E-beam 리소그래피, 나노 임프린트, Dip-pen 리소그래피, 자기조립 리소그래피가 검토되고 있다.

저자

SHIRAI, Masamitsu

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2005

권(호)

54(3)

잡지명

고분자(A030)

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

136~141

분석자

고*성

분석물

• 초미세 가공용 포토레지스트 재료의 진보.pdf [190,834 byte]

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