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FePt 합금박막의 규칙화과정과 규칙화사이즈효과

전문가 제언: ○ 이 논문은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 만든 FePt 자성체의 박막에 배열되어 있는 불균일한 원자배열을 균일하게 정돈하는 과정을 높은 온도가 아니라 비교적 낮은 온도에서 성공한 사례를 기술하였다. 한편 많은 논문을 참고하여 다소 복잡하게 전개되어 있지만, 전자회로기판에 박막 또는 에피택시(epitaxy) 결정성장을 증착시키는 기술은 전자통신기술의 핵심을 이루고 있다. 이러한 기술이 나오기 전에는 단결정의 박편을 이용하였다. 단결정 내의 결정 결함을 제거하는 기술의 일종이라고 할 수 있다.

○ 금속박막, 합금박막 및 비금속 화합물의 박막 제조는 다양한 방법의 기술로 이루어지고 있다. 제조한 박막의 품질을 높이는 마지막 기술은 박막에 들어있는 원자들의 규칙적인 배열이다. 결정체 내지는 박막에 원자배열이 이상적으로 되었을 때, 그 화합물이 지니는 가장 표준 물성을 나타낸다고 할 수 있다. 미립자의 크기, 박막의 두께 등을 적절히 선택하는 것은 원자배열을 이상적으로 하는 수단이다. 모든 고체 화합물에서 내부 결정구조를 균일하게 만드는 기술은 일반적으로 anealing 즉 낮은 온도에서 수행하는 것이다.

○ 자성체 기록용 매체로 많이 사용되는 FePt 합금박막은 우리나라도 KAIST 등 연구기관에서 1999년 이래 단계별로 40~10Gbit/in2의 CoPt, FePt 수평수직 기록매체의 결정립 미세화 기술을 개발하고 있으며, C축 배향 향상을 위한 연구가 수행되고 있다. 박막 제조에 가장 중요한 조건은 온도설정, 압력, 환원 분위기 설정 및 열처리 시간이라고 할 수 있다. 이러한 조건설정은 거의 비밀로 되어 있으므로 상품화 가능한 박막조건에 대한 연구에 관심을 기울어야 할 것이다.

저자: Y. K. Takahashi ; K. Hono
자료유형: 학술정보