헤테로구조의 반도체 나노와이어(Semiconductor nanowire heterostructures)

전문가 제언

□ 20세기에 꽃을 피운 IT와 BT에 이어서 나노기술(NT)이 21세기의 기술혁명을 일으킬 것이라는 예측이 과학･기술계를 지배하고 있는 가운데 우리나라를 포함해서 전 세계 여러 나라들이 기술경쟁에서 우위를 선점하기 위해서 나노기술에 막대한 예산을 투입해서 이 분야 연구에 박차를 가하고 있는 실정이다.

□ 최근 일차원 구조의 나노와이어가 많은 관심의 대상이 되고 있는데, 이는 1960년대에 발표된 소위 Moore의 법칙으로 대변되는 반도체 장치들의 소형화 추세가 2010년경에는 한계에 달하게 되는데, 헤테로 구조의 나노와이어가 이러한 기술적 한계를 돌파할 수 있는 기본 빌딩 블록이 될 수 있다는 판단 때문으로 보인다.

□ 따라서 반도체 나노와이어가 최근 가장 활발하게 연구되고 있는데, 그 중에서도 축방향과 원주(radial) 방향의 헤테로 구조가 미소 크기로 인한 양자구속효과와 이들의 접합면에서 나타나는 물리적 특성으로 인해서 응용분야가 다양할 것이라는 예측 때문에 가장 각광을 받고 있는 실정이다.

□ 반도체 나노와이어 분야는 하버드 대학의 Lieber 그룹과 캘리포니아 대학 버클리 캠퍼스의 Yang 그룹이 선도하고 있다. 특히 여기서 소개한 리뷰는 현재 헤테로 나노와이어를 집중적으로 연구하고 있는 Lieber 그룹이 최신의 연구동향을 심도 있게 조사하여 분석한 글로서 이 분야의 세계적인 연구 동향과 수준을 한 눈으로 파악하는데 대단히 도움이 되는 수준 높은 논문이라고 판단된다.

저자

L. J. Lauhon et al

자료유형

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

20074

권(호)

362

잡지명

Phil. Trans. Royal Soc. London A

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

1247~1260

분석자

이*웅

분석물

• 헤테로구조의 반도체 나노와이어.pdf [197,491 byte]

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