CVD법에 의한 SiC 에피택시얼 성장과 불순물 도핑((Recent Progress on SiC Semiconductor) Epitaxial Growth of SiC by CVD and Impurity Doping)

전문가 제언

□ 시대의 총아, SiC는 피뢰기 바리스타(variable resistor)로부터 시작하여 GTO(Gate Turn-Off) thyristor는 고압직류송전, 대공장 철도에서 사용되고, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 철도, 정류기, 전기자동차에서 사용되며, MOSFET(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor)는 전자기기의 스위치 전원으로 BPT(Bipolar Transistor)와 Power IC(Power Integrated Circuit)는 통신기기에 사용되고 있어 가히 실리콘 문명의 핵심을 차지하고 있는 재료이다.

□ 이 특집 리뷰는 전자 디바이스용 SiC의 에피택시얼 성장에 관한 기술적 데이터를 담고 있어 요약문으로 압축시키기 어려운 자료가 포함되어 있다. 특히
○ CVD로 내에서의 증착 제어 기술
○ SiC 성장 층의 물성 제어 기술
○ SiC의 전도성에 대한 고찰은 연구기관 및 산업 현장 종사자에게 많은 도움이 될 것으로 생각된다.

□ 한국은 부존자원이 없다고 하지만 그래도 흔한 것이 규사와 흑연이다. 그럼에도 불구하고 고 순도 규소와 흑연은 전량 수입하고 있는 실정이다. 전자산업용 뿐만이 아니고 제강용 전기 아크로 흑연전극과 규소도 전량 수입하고 있다.

□ 한 폐기물 처리업체의 보고에 의하면 SiC의 연간 폐기물이 약 2000톤에 달하며 그중에 고 순도 규소가 500톤이 포함되어 있다고 한다. 이들 폐기물은 처리 곤란한 슬러리 형태로 배출되기 때문에 환경에 심각한 피해를 주고 있는 실정이다.

□ 정부는 IT 강국을 표방하고 있고, 또 전자제품 수출에 무역 수지 타산이 좌우되는 현실을 볼 때에 규소와 흑연 재료의 국산화에 정책적 배려가 있어야 할 것으로 생각된다.

저자

Tsunenobu Kimoto

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2005

권(호)

40(1)

잡지명

Ceramics Japan(C091)

과학기술
표준분류

재료

페이지

14~18

분석자

최*수

분석물

• CVD법에 의한 SiC 에피택시얼 성장과 불순물 도핑.pdf [211,011 byte]

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