SiC 파워 디바이스(SiC Power Devices)

전문가 제언

□ 이 논문은 일본 Toshiba Corp.에 근무하는 Takashi Shinohe가 Ceramics, 40, No.1, (2005) (일본)에 “지금까지 걸어온 SiC 반도체”란에 특집으로 「SiC 파워 디바이스」라는 제목으로 실린 글이다. 참고문헌은 주로 일본 저자의 것 4편을 참고하였으나, 글의 내용은 현재 전 세계적인 경향을 골고루 포함하고 있다.

□ 컴퓨터 또는 컴퓨터 수요자를 위하여 원거리 전송이 가능한 고전압 파워 반도체 디바이스의 요구가 최근 급증하고 있는 것은 사실이다. 이를 위하여 넓은 밴드 갭 반도체 재료의 개발이 다급해 지고 있다. 현재 여기에 가장 알맞은 반도체 재료가 실리콘 카바이드이다. 이 재료는 오래전부터 차세대의 파워장치로 선전되어 있었다. SiC 단결정 제조기술이 현재로서는 이 분야에서 가장 촉망받는 기술로 인정받고 있다. 이 단결정은 400~1200V의 범위에서 10kV, 15kHz의 파워 스위치 능력을 가지고 있는 고전압 고주파수의 파워 디바이스의 개발로 이어지게 될 것이다. 현재 이 재료에 대한 용도개발에 세계적인 이목이 집중되어 있는 것은 사실이다.

□ 전자재료에 대한 첫 혁명적인 사건은 1960년대 트랜지스터의 발견이라 할 수 있다. 그리고 두 번째의 사건은 광섬유기술로 이어지는 광전자 재료가 1970년에 개발에 성공하였다. 현재 우리에게 직면하여 있는 것은 전자산업에서 제3의 도약이 될 것이다. 이 제3의 도약은 넓은 밴드 갭 재료를 이용하는 전자디바이스에서 찾게 될 것이다. 최근 보다 향상 된 미세 파워 디바이스 분야의 연구보고서가 재료연구 분야에서 제일 각광을 받고 있다. 기술의 변화는 양적인 경제성이 없이는 발전될 수 없다. 이 보고서는 넓은 밴드 갭의 중요성과 시장성의 전망을 제공해 주는 좋은 논문이라고 본다.

□ 한국은 소재 제조기술이 선진국에 비하여 크게 낙후되어 있다. 특히 SiC 단결정 육성기술은 그것이 잉곳이건 에피택시이건 매우 어려운 기술이다. 그리고 이 결정 자체가 구조의 다형을 포함하기 때문에 고도로 세련된 성장기술을 필요로 한다. 잉곳을 이용하여 디바이스의 개발은 대학 및 기업체 연구기관에서 추진하고 있는 것으로 알고 있다.

저자

Takashi SHINOHE

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2005

권(호)

40(1)

잡지명

Ceramics Japan(C091)

과학기술
표준분류

재료

페이지

24~28

분석자

박*학

분석물

• SiC 파워 디바이스.pdf [212,713 byte]

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