반도체 플라스마 프로세스 시뮬레이션과 TCAD(Numerical Simulation and Technology Computer-Aided Design of Plasma Processing for the Fabrication of Semiconductor Microelectronic Devices)

전문가 제언

□ 플라스마를 이용한 박막형성, 표면개질, 및 미세가공이나 박막제거를 플라스마프로세스라고 하는데, 플라스마 응용기술은 반도체디바이스나 마이크로머신 제조를 위시한 첨단공학 분야에서 꼭 필요한 방법이다.

□ 반도체플라스마프로세스는 이후에도 ①대구경기판에 대한 우수한 생산성, ②미세패턴의 가공성이나 박막특성, ③손상성, ④웨이퍼스케일에서 거시적인 균일성, ⑤칩 사이즈, 셀 사이즈 레벨에서의 미시적인 균일성, 등의 관점에서 부단한 기술개발 및 개선이 요구된다. 최근에는 프로세스반응가스의 지구환경문제에의 대응도 필수적이다.

□ 프로세스플라스마의 플라스마시뮬레이션에서는 계산기의 용량의 관점에서 반응입자의 종류가 적은 계통에서는 입자모델을 사용하지만 다수의 반응입자 종류와 반응과정을 고려할 필요가 있을 경우에는 유체모델을 사용하는 것이 현실이다.

□ 반도체플라스마시뮬레이션의 목적은 시뮬레이터에 장치파라미터를 입력하면, 여러 가지의 프로세스특성이 출력으로서 얻을 수 있는 형태이고, 장치파라미터를 변화시켜서 프로세스기능이 예측되고, 실제의 프로세스와 비교하여 현상을 지배하는 장치파라미터 · 플라스마파라미터나 입자수송 · 반응과정이 해석되고, 반도체플라스마개발에 공헌할 수 있는 실용적인 TCAD에 도달된다.

□ 반도체플라스마프로세스 시뮬레이션기술의 발전에는 보다 고급이고 고속인 계산기와 더불어 시뮬레이션방법의 연구개발이 필요하다는 것은 말할 것도 없다. 가상프로세스라고도 말할 수 있는 시뮬레이션과 실제의 반도체프로세스와의 부단한 비교에 의해서 시뮬레이션이 기초하고 있는 물리모델을 다듬어 나가는 것이 실용뿐만이 아니라 기초연구의 관점에서도 중요하고 유효할 것이다.

저자

ONO Kouichi

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

기초과학

연도

2004

권(호)

80(11)

잡지명

Journal of plasma and fusion research(N073)

과학기술
표준분류

기초과학

페이지

909~918

분석자

문*형

분석물

• 반도체 플라스마 프로세스 시뮬레이션과 TCAD.pdf [178,111 byte]

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