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첨단기술정보

집속이온빔 기술과 투과전자현미경에의 응용(A review of focused ion beam technology and its applications in transmission electron microscopy)

전문가 제언: □ Ga+ FIB 기술은 10nm의 영상분해능을 갖고 있으며 제어된 증착, 때려내기(sputtering)와 반응기체식각을 할 수 있어 10nm 수준의 나노가공(nanomachining)과 리소그래피에 사용가능하며, Ga+ 이온빔으로 시료표면을 때릴 때 방출된 2차 전자나 2차 이온을 검출하여 SEM 영상이나 SIM 영상을 동시에 얻을 수 있는 장점이 있다. Ga+ FIB는 TEM 속에서 TEM 시료의 산화방지를 위해 Ga+ 이온밀링을 하여 시료의 청결을 유지시키고 국부적인 두께를 얇게 할 수 있으며 Si 시료의 비정질산화층을 제거할 수도 있다.

□ 마이크로샘플링방법과 리프트아웃방법에서 FIB 진공실 속에서 자동조절장치를 사용한 것은 TEM 시료제조의 새로운 변화이다. SIM 분야에서 물질표면의 잔여응력(residual stress)을 평가하고 표면 거칠기(surface roughness), 균열의 크기, 표면형태의 3차원 영상을 얻는 새로운 방법의 개발이 필요하다. FIB로 손상된 가짜가공물(artifact)을 제거하여 TEM 영상의 분해능을 향상시키는 기술이 개발되어야 할 것이다.

□ 본 연구문은 SEM, SIM, TEM 등 현미경의 기본원리 설명이 결여 되 있고 너무 많은 사례를 장황하게 나열하고 있어 주요 요점에 대한 체계적인 설명이 미흡한 점이 있으므로 기본원리 등을 보완 집필하였다.