반도체 제조공정에 있어서 세척기술의 최신동향

전문가 제언

□ 반도체업계는 다품종 소량생산화, 웨이퍼의 대구경화, 회로패턴의 미세화, 배선의 다층화, 약품이 침입하기 쉬운 신소재나 종래에는 오염물질로서 기피하고 혐오하는 금속원소의 도입에 대응하기 위하여 반도체의 제조공정의 한 공정으로서 새로운 세척방법과 새로운 세척약액을 요구하는 단계에 있다. 이에 부응하는 아주 적절한 기술을 열거하고 있다.

□ 오랫동안 다조침적식(多槽浸滴式)의 RCA세척에 친근하여 온 반도체 세척의 세계에서도 새로운 움직임이 있다. 다조침적의 패치방식으로부터 매엽처리(枚葉處理)로 이행하거나, RCA법을 대신하여 새로운 세척 약액과 새로운 세척방법의 요구가 그것이다. 이들의 연구가 활발해지고 있다. 초임계유체세척, aerosol 세척 등 차세대의 세척기술 개발이 시작되고 이용되고 있다.

□ 여기에 소개된 새로운 반도체표면의 clean화/세척기술을 45nm 이하의 최첨단 CMOS 디바이스나 초미세 MEMS 디바이스 등 금후의 차세대 반도체 디바이스의 제조에 응용하고 실용화하기 위해서는 대상 프로세스를 상세히 검토하고, 세척 메커니즘을 이해하고, 세척을 위한 장치기술과 오염측정 평가기술 및 반도체의 미세화에 수반하여 웨이퍼 표면에서 미립자의 계측기술이 선행되어야 할 것이다.

저자

Hattori Takeshi

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

43(9)

잡지명

전자재료(A124)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

38~44

분석자

양*덕

분석물

• 반도체 제조공정에 있어서 세척기술의 최신동향.pdf [190,945 byte]

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