실리콘 위의 고주파 수동소자 (RF passive components on Si substrate)

전문가 제언

□ 주파수 f의 정현파를 취급하는 경우에 우리가 다루려는 device의 기하학적 규모가 그 파장의 1/10~1/100보다 클 때는 분포회로로 회로 방정식을 세우고 문제를 풀어야한다. 이 경우를 우리는 device 가 전기적으로 크다고 예기한다. 예를 들면 10GHz의 신호가 비유전율 εs가 4인 매질에서 전파될 때 이 파장은 1.5cm이다. 따라서 150~1500㎛ 정도의 크기를 갖는 것이라면 집중정수로 취급해서는 안 되며 분포정수로 취급해야 된다. 본문에서 다루는 800MHz~5GHz에서는 chip위의 부품의 크기가 수백 ㎛이하이므로 집중정수로 취급할 수 있을 것이다.

□ 또한 유한한 크기의 저항을 갖는 경우 전자파는 표피효과에 의하여 금속 표면에 집중한다. 표피두께는 로 된다. 여기서 μ는 투자율이고 σ는 도체의 도전율이다. Al인 경우에 1GHz에서 2.7㎛가 된다. 실리콘 기판에서 수㎛정도 크기의 단면을 갖는 선로에서는 금속 내외의 전계분포도 고려하여 저항성분을 계산해야 한다.

□ 상기의 조건에서 실리콘 위의 수동소자를 다루었고 특히 가변 인덕터의 제작과 RF회로 분야의 동적 재구성은 우리가 속히 받아 드려야할 것이다. 가변 인덕터의 활용은 VCO(voltage controlled oscillator)의 성능 특히 가변 주파수 범위를 넓힐 수 있어 다른 커패시터의 활용보다 우수하다. 능동소자와 함께 연구되어야 할 것이다.

저자

Kazuya MASU ; Kenichi OKADA

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

73(9)

잡지명

응용물리(A005)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1172~1178

분석자

양*덕

분석물

• 실리콘 위의 고주파 수동소자.pdf [182,635 byte]

이미지변환중입니다.