포토마스크에 응용하기 위한 합성석영기판의 습식에칭( Wet Etching of Synthetic Quartz Substrate for Photomask Application)

전문가 제언

□ 이 자료는 반도체 리소그래피 기술 분야에서 패턴미세화가 진전되고 있는 포토마스크의 해상도를 높이기 위해 습식에칭 기술을 적용하고 있는 최근의 동향을 기술하고 있다.

□ 국제반도체기술로드맵 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)는 1990년경 기술노드가 500nm에서 2004년경에는 90nm로, 같은 기간 중 노광파장은 365nm에서 193nm로 빠른 미세화의 진행상황을 밝혔다. 2007년이면 기술노드는 65nm로 진전되고 이 수준의 노광파장을 갖는 디바이스가 양산될 전망이다.

□ 반도체 리소그래피의 원판인 포토마스크는 X-ray 마스크, 위상 시프트 마스크(Phase Shift Mask, PSM), 스텐실 마스크(Stencil Mask) 등과 마스크를 보호하기 위한 펠리클(Pellicle) 기술 등이 포함된다.

□ 이 자료에서 다루고 있는 레벤손 형 위상 시프트 마스크는 시부야-레벤손 시스템으로도 불리며 기존의 일반 마스크 기판에 위상 반전층을 형성하여 이 부분을 투과한 빛의 위상을 반전 또는 변형시킴으로써 해상력을 높이는 것이다. 이 마스크는 양산되어 일부 사용자의 특정마스크에 사용되고 있고, 65nm 기술노드에서는 적용범위가 확대될 것으로 예상되고 있다.

□ 포토마스크의 해상도를 높이기 위한 노광장치와 관련된 기술은 1990년대 중 후반 이후 한국, 일본, EU, 미국의 반도체 제조 및 장치메이커들의 특허출원 경쟁이 매우 뜨거운 분야 중의 하나이다.

□ 이 자료에서 밝히는 습식에칭 등방성과 건식에칭 이방성을 조합시켜 광 리소그래피의 수명연장을 실현하고 있는 기술은 노광장치, 마스크연구·제조에 관계되는 국내 업계와 기업에 유용한 정보를 제공하고 있다.

저자

MOHRI Hiroshi

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

55(8)

잡지명

표면기술 (C135)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

535~540

분석자

박*선

분석물

• 포토마스크에 응용하기 위한 합성석영기판의 습식에칭.pdf [169,923 byte]

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