프로세스가스 제어기술의 역사, 현황 및 문제점

전문가 제언

□ 화학적 기체증착법은 1970년대 초에 고직접회로의 제조에 사용되기 시작한 이래, 현재에 이르러서는 고순도 고품질의 반도체제조에는 없어서는 안 될 기술로 정착했다. 특히 융점이 높은 텅스텐, 실리콘, 탄소, 탄화물, 산화물 등을 기체화하여 프로세스 가스로 이용하여, 내산화성, 내부식성, 내마모성이 우수한 피막을 형성함으로써, 종래의 재료에 새로운 기능성을 부여하고 있다.

□ 이에 따라 반도체 제조공장에서는 식각 및 세정에 필요한 가스를 포함하여 다양한 종류의 가스를 사용하고 있으며, 이를 위한 프로세스 가스의 제어계통은 재현성, 반복성과 제어상태의 안정성을 우선적으로 해야 수율이 높은 제품을 생산할 수 있으며, 여기에 가장 중요한 부품이 MFC이다.

□ 그러나 현재의 MFC 시장은 일본 업체들이 거의 독점공급하고 있지만, 시장 자체가 곧 포화상태에 이르러, 앞으로는 제조업체 사이의 치열한 가격경쟁으로 인하여, 경쟁력을 상실한 MFC 메이커 가운데 몇 군데는 사업에서 도태될 것으로 예상된다.

□ 현재 300mm 웨이퍼가 주도하고 있는 반도체 생산공정이 2012년 이후에는 450mm의 대구경 웨이퍼가 등장할 것으로 기대되고 있으며, 현재는 300mm 웨이퍼공장은 월 77,000개 정도의 8인치 상당 웨이퍼를 생산할 수 있지만 450mm로 바꾸면 이것이 15만～20만개로 향상될 것으로 기대되고 있다.

□ 이와 같은 대구경 웨이퍼의 등장은 전체 프로세스 가스 제어계통의 전면적인 교체를 필요로 하기 때문에 MFC 메이커에게는 기회가 될 수 있다. 그러나 대구경 웨이퍼로부터의 반도체 가공은 아주 섬세한 제어를 필요로 하기 때문에, MFC 메이커는 제어계통을 구성하는 다른 기기메이커와 협동으로 이에 대처하는 것이 바람직하다고 판단된다.

저자

Seihi ISHIHARA

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2003

권(호)

13(11)

잡지명

Clean technology(N272)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1~5

분석자

이*근

분석물

• 프로세스가스 제어기술의 역사, 현황 및 문제점.pdf [172,893 byte]

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