금속과 실리콘의 반응 확산(Current all studies related to solid diffusion : Reactive diffusion between metals and silicon : The growth rate of silicides, which depends on the purity of metal remarkably)

전문가 제언

□ 금속이 Si과 접합하게 되면 금속과 Si계면에 다양한 상의 실리사이드가 형성된다. 형성되는 실리사이드는 그 전기적 광학적 물성에 따라 반도체형 실리사이드와 금속형 실리사이드로 구분된다. 금속형 실리사이드는 VLSI에서 interconnection이나 게이트 전극으로 이용되고 반도체형 실리사이드는 에너지 갭(energy gap) 이 작아 적외선 검지기 등에 응용된다.

□ Si 및 실리사이드는 반도체를 위시한 첨단 분야에서 그 중요도가 말할 수 없이 크다. 그만큼 그 성상에 대하여는 많은 연구가 있었고, 이제 거의 모든 것이 밝혀져 있을 것이라 생각된다. 그러나 우리가 알고 있는 모든 데이터들이 연구를 거듭할수록 계속 보완되어야 한다는 사례를 여기에서 보고, 앞으로도 많은 노력과 관심을 부르고 있다 할 것이다.

□ IT 반도체 분야의 강국을 자타가 인정하는 우리나라인 만큼 학계 산업계 모두 이 분야에 대한 연구는 많으리라 생각되고, 상당 부분 특허나 산업 기밀에 속하는 것이라 사료된다. 본문 또한 최근 잡지의 금속 확산 연구에 대한 특집으로 발표된 것이고, 상당히 오래 전의 연구 내용을 발표하고 있는 것이나, 시간을 거슬러서라도 기술의 원천을 더듬는다는 면에서 뜻있는 보고라고 생각된다.

□ 세계를 선도하는 우리의 경쟁력을 더욱 공고히 하고 남보다 한발 빠르게 나아갈 길을 찾기 위해 밤을 지새우며 연구에 몰두하는 과학기술인에게 격려를 보내고 우리 사회가 감사해야 하리라 생각한다.

저자

SHIMOZAKI Toshitada

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2004

권(호)

74(9)

잡지명

금속(A112)

과학기술
표준분류

재료

페이지

915~919

분석자

양*근

분석물

• 금속과 실리콘의 반응 확산.pdf [198,076 byte]

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