InGaAs/AlGaAs의 다중양자정호(MQW)구조 전류협착형 발광다이오드의 저 열화 거동(Low Degradation Behavior of InGaAs/AlGaAs MQW Current Confinement Structure LED)

전문가 제언

□ 발광 다이오드에는 화합물 반도체가 이용된다. 비소화갈륨 GaAs는 적외선용 외에 희토류 형광체와 조합시켜 파랑, 녹색, 빨강 등의 가시광선에도 이용된다. 비소화갈륨알루미늄 GaAlAs는 적외선 또는 빨간색용, 인화갈륨비소 GaAsP는 빨간색, 주황 또는 노란색용 그리고 인화 갈륨 GaP는 빨간색, 녹색 또는 노란색에 이용된다.

□ 비소화갈륨 발광 다이오드는 그 만드는 방법에 따라 확산형과 액상형이 있다. 확산형은 발광 효율(4~6%)이 나쁘지만 응답시간(100nS)이 좋기 때문에 포토커플러에 이용되고 액상형은 발광효율(5~30%)은 좋지만 응답 시간(1㎲)이 늦기 때문에 표지용으로 이용되고 있다.

□ 인화갈륨은 방광에 대한 흡수가 적기 때문에 빛의 이용률이 좋고 인화 갈륨비소는 기상적층성장(epitaxal growth)에 의해 균일하고 넓이가 큰 것을 얻을 수 있어 종전부터 공업화가 되어 있으며 따로 광통신용의 목적으로 고휘도 발광 다이오드가 개발되고 있다. 그 외에 GaN, SiC, InGaP, InGaAlP 등이 파란색, 녹색 그리고 흰색 등의 발광용으로 개발되고 있다.

□ AlGaAs계 LED는 고출력 LED로 광범위하게 사용되고 있고 결정결함에 의한 암선결함(DLD)은 암점결함(DSD)의 증식에 따라 광 출력 저하가 일어난다. 이들 LED는 GaAs 기판 상에 에피택셜 성장으로 제조되는 다층 구조로 되어 있다. AlGaAs계 적외점광원 LED도 열화가 발생하는 것이 관찰되고 있다.

□ MQW(Multi Quantum Well) 구조 LED와 벌크(bulk)구조 LED를 서로 비교해서 설명하였다. InGaAs/AlGaAs의 다중양자정호(MQW)구조를 이용한 전류협착형 LED를 시험하여 GaAs층을 이용한 LED와 비교하여 장시간 통전(通電)에 의한 열화를 크게 개선하고 낮은 고장률을 실현할 수 있었다.

저자

Toshihiro Kato ; Kenji Hobo ; Moritaka Aikawa ; Hidetoshi Sone (etc.)

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

기초과학

연도

2004

권(호)

75(3)

잡지명

전기제강(F150)

과학기술
표준분류

기초과학

페이지

181~186

분석자

오*섭

분석물

• 1102InGaAs의 다중양자정호(MQW)구조 전류협착형 발광다이오드의 저열화 거동.pdf [180,135 byte]

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