나노 구조의 전기전도성 이론(Theory of Conductance of Nano-Structures)

전문가 제언

□ 개개의 분자를 사용하는 엘렉트로닉스는 반도체 미세가공이 한계를 넘어서 전자 장치의 미세화로 진화하기 위한 획기적인 방법으로 기대를 모으고 있다. 나노 구조를 경유하는 전자 또는 정공이 전극 간에 흐르는 수송현상 등 비평형 개방계의 양자효과가 나타날 것으로 기대되기 때문이다. 특히 캐리어 주입에 의한 발광, 스핀류의 제어 등 새로운 양자원리에 의한 나노 디바이스의 개발 가능성이 크다. 그러나 단지 미세화 집적화에 머문다면 현재 성숙단계에 도달한 실리콘 기술을 넘어서기가 쉽지는 않을 것으로 전망된다. 즉 분자 소자에 실리콘과 동일한 엘렉트로닉스 회로의 기능만을 부여하는 것은 분자 엘렉트로닉스의 목적하는 바가 아닐 것이며 개개의 분자가 기능을 발휘하도록 하므로서 실리콘 기술로서는 이룰 수 없는 획기적인 기능을 부여하여야 하며 나노기술에서 추구하는 새로운 물리현상을 반영하는 것이어야 한다. 이를 실현하기 위해서 FET나 다이오드 등 전통적인 전자전도 장치 기능에만 주목하는 것은 별로 의미가 없다.

□ 나노 스케일의 복사장, 자장 등의 개방계 환경과 연결계 기능을 탐색할 필요가 있다. 개개의 분자를 이용하는 나노 디바이스의 우수한 특징의 하나는 어느 분자가 기대하는 기능을 발휘할 수 있을 것인가에 대한 지침이 있다면 합성이라는 수단을 통하여 그 목적을 달성할 수 있으며 비교적 단순하고 값 싼 대량생산 방법을 개발할 수 있을 것이다.

□ 그러나 합성된 분자를 기판에 의하여 원자 척도의 정도를 가지고 조합할 수 있는가는 아직 해결되지 않은 문제로 남아있다. 이에 대한 새로운 기술의 개발이 요청된다.

□ 현 시점에서는 새로운 기술의 실용화에 목적을 두고 꾸준한 연구 개발이 필요하나 생산현장에서 시판품을 생산하는 정도의 단계에 이르려면 해결 해야할 문제가 많으므로 기능 예측과 계의 생성법에 대한 기초원리 등에 대한 집중 연구가 선행되어야 할 것이다.

저자

Masaru Tsukada ; Kenji Hirose ; Nobuhiko Kobayasshi ; Katsunnori Tagami

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

기초과학

연도

2004

권(호)

59(7)

잡지명

일본물리학회지(A008)

과학기술
표준분류

기초과학

페이지

452~459

분석자

마*일

분석물

• 나노 구조의 전기전도성 이론.pdf [195,149 byte]

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