다결정 실리콘 에미터 바이폴러 접합 트랜지스터의 저주파 잡음(Review of low-frequency noise behaviour of polysilicon emitter bipolar junction transistors)

전문가 제언

□ 많은 아날로그 회로설계 엔지니어들은 고주파 동작에서 상대적으로 낮은 잡음 특성을 가지고 있는 PE-BJT(Polysilicon Emitter Bipolar Junction Transistor)를 CMOS(Complimentry Metal Oxide Silicone) 보다 선호하는 경향이 높다. 이것은 특히 저주파 잡음에 대한 대책으로 더욱 진가를 발휘하고 있다.

□ 최근 급격하게 증가하는 핸드폰 같은 모바일 무선통신 제품의 회로설계에서는 빠른 작동 시간과 적은 에너지소비가 절대적인 관건이다. 여기에 가장 적합한 집적회로 부품으로 낮은 잡음 특성을 가지는 BJT 기술 응용제품들이 두각을 나타내고 있다.

□ 특히 제품 자체의 크기가 작아지면서 관련 부품 또한 초소형화가 요구되고 있다. BJT를 포함한 대부분의 반도체 제조에 사용되는 다결정 실리콘 산화물 특성은 회로 면적 축소에 비례하여 잡음이 증가되는 경향이 높다. 이러한 문제점 해결 방안의 연구가 진행되고 있다.

□ 뿐만 아니라, 저주파 잡음에 대하여 BJT 기술이 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 기술 보다 더 활용도가 높게 평가되고 있다. 특히 기술개발 속도 면에서 BJT의 빠른 발전 속도는 MOSFET 보다 월등히 높게 평가되고 있음이 최근 국제 반도체 관련 학회에 보고 되었다.

□ 제품의 회로설계에서 잡음 대책은 근본적인 원인 제거가 1차 목표가 되겠다. 신호를 강하게 하거나 회로를 크게 하면 상대적으로 잡음을 줄일 수 있겠지만, 이러한 회로 작동을 위한 전원 에너지를 많이 소모하게 된다. 낮은 전류 소모와 낮은 전압에서 동작해야하는 모바일 제품에서는 부품의 초소형화는 물론, 잡음에 대한 철저한 연구가 필요하다.

□ 잡음에 대한 이론적인 모델 연구와 이에 따르는 정밀한 실험이 매우 중요한 향후 연구 과제가 되겠다. 이러한 연구를 위해서 컴퓨터의 적극적인 활용이 크게 기대되는 분야이다.

저자

Deen, MJ; Pascal, F

자료유형

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

151(2)

잡지명

IEE PROCEEDINGS-CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

125~137

분석자

구*회

분석물

• 다결정 실리콘 에미터 바이폴러 접합 트랜지스터의 저주파 잡음.pdf [168,970 byte]

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