전자빔 묘화기술 동향(Electron Beam Mastering Technology : Future Prospects of Electron Beam Lithography Technology)

전문가 제언

□ 묘화(描畵 : Lithography)기술은 패턴공정으로서 일반적으로 전사(傳寫)공정을 지칭하고 반도체 미세가공 공정에서의 주요기술이다. 최근에는 이 묘화기술이 MEMS 디바이스를 위한 핵심미세가공기술로 이용되고 있다.

□ 전자빔 묘화기술은 1960년대에 주사형전자현미경(SEM) 응용기술의 하나로 탄생한 이래 그 우수한 해상기술 때문에 현재까지 첨단 디바이스개발에서 중요한 미세가공기술로 발전해 왔다. 그러나 낮은 생산성이 과제로 제기되어 왔다.

□ 반도체 노광기술 분야에서는 광을 이용한 생산성이 높은 노광기술을 사용해 왔다. 그러나 2005년의 65nm세대 이후의 노광기술에서는 현재 사용 중인 KrF(248nm), ArF(193nm)레이저의 노광파장에서 보다 단파장인 F2(157nm), EUV(13nm)를 광원으로 하는 기술이 필요하다. 전자빔 묘화기술의 고속화가 필연적이다.

□ 고속전자빔 묘화기술의 마이크로화에는 한계가 있다. 이를 극복하기 위해 파장에 의존하는 광기술과는 달리 새로운 묘화방식 탐색과 기술개발 노력으로 해상도와 생산성 문제를 개선하고 있다. 이 자료는 이러한 추세에 따른 여러 방식의 묘화기술의 특징과 개발현황과 동향을 다루고 있다.

□ 국내에서는 KAIST, 서울대학, 포항공대를 비롯한 대학을 중심으로 전자빔 묘화기술연구 활동이 진행 중이다. 국내반도체 산업분야, 나노기술의 응용분야, 마이크로/나노디바이스 산업분야에서의 고속전자빔 묘화기술수요에 대응한 산학연 공동 연구개발 전략이 필요하다.

저자

Masahiko OKUNUKI

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

정밀기계

연도

2004

권(호)

70(3)

잡지명

정밀공학회지(A077)

과학기술
표준분류

정밀기계

페이지

309~313

분석자

박*선

분석물

• 전자빔 묘화기술 동향.pdf [175,408 byte]

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