삼성, 플래시로 제일 선언, 다음은 휴대전화의 全NAND化로 승부(Samsung of Korea is on the offensive with their NAND flash memory strategy promoting SLC)

전문가 제언

□ NAND형은 DRAM을 대체하는 미세화의 기술 드라이버임과 동시에 DRAM을 웃도는 시장규모로 육성된다고 보여진다. NAND형은 최근 수년에 걸쳐 연률 2배의 속도로 그 용량을 급히 확대해왔다.

□ 그래도 대용량화에 대한 요구는 쇠하지 않고 오히려 가속할 가능성마저 있다. 실제 어떤 휴대전화기 메이커는 2006년 안으로 10G 비트를 상회하는 용량을 실현해 주길 바라고 있다.

□ 지금까지 대용량화를 유지해 온 것은 노광기술의 진보에 의한 미세화였으나, 연률 두 배의 페이스(Pace)에 추종할 수 있는 노광기술은 금후엔 출현하지 않을는지 모른다.

○ 이용이 될지라도 극히 고가이던지 취급하기가 어려워져 충분히 활용할 수 없을 가능성이 있다. 때문에 고집적화를 추진하기 위해서는 노광기술의 한계를 어떻게 극복하느냐를 충분히 검토할 필요가 있다.

○ 우리들은 이와 같은 노광기술의 경향을 따라서 2006년 이후는 연률 두 배보다 다소 적은 페이스로 대용량화를 추진해간다. 더욱 적극적인 기술지도를 그리고 있는 기업도 있지만 노광기술의 벽은 어느 반도체 메이커에게도 같은 과제이다.

□ 신형메모리는 미세화라든지 저 소비전력화라는 과제를 안고 있다. 또한 지금으로 봐서 비용 면에서 플래시, 특히 NAND형을 능가하는 기술은 없다. 비용에 있어 NAND형에 어디까지 따라 잡을 수 있는가가 개발의 중요한 포인트가 된다.

□ 메모리의 개발과 생산능력이 세계적인 경쟁력을 가지고 있는 국내반도체 기업들에게는 플래시 메모리에 있어서도 큰 잠재력을 가지고 있으며, 앞으로의 기술개발과 마케팅방향이 매우 중요하다. 플래시 메모리에 있어서도 DRAM과 같은 성공 신화가 만들어 질 수 있기를 기대한다.

저자

Jon Kang

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

(225)

잡지명

Nikkei microdevices(B746)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

67~76

분석자

김*근

분석물

• 삼성, 플래시로 제일 선언, 다음은 휴대전화의 全NAND化로 승부.pdf [183,947 byte]

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