Si(100)웨이퍼표면의 원자수준 제어와 그 평가(Atomic Scale Control of Si(100) Wafer Surface and Its Characterization)

전문가 제언

□ 이 글은 일본 Hiroshima대학교 Takayuki Takahagi씨의 연구그룹에서 5명의 연구자들의 명의로 J. Vac. Soc. Jpn(진공학회지)에 실린 해석형식의 논문이다. 광범위한 문헌을 참고로 하였으며 대부분의 저자는 일본인이다.

□ 전자통신기기의 최고의 성능을 발휘할 수 있는 전자 디바이스는 원자세계의 개념을 이해하지 못하면 설계가 불가능하다. 기판에 에피택시를 입히는데 기판의 표면이 거칠면 에피택시 결정성장도 불규칙하게 되어 소기의 전자신호를 얻을 수 없게 된다. 이 논문은 실리콘기판의 (111)면, (100)면의 원자수준의 평탄정도를 종래의 방법 즉 불화수소산에 의한 부식방법에서 불화암모늄의 수용액을 사용해서 보다 향상된 결과를 보여주고 있다. 그러나 재현성이라든가 STM, FTIR-ATR의 관찰결과에 대한 논의가 아직 끝나지 않았고 계속 동업연구자끼리 토론이 진행되고 있는 내용으로 보인다.

□ 결정성장과 부식현상은 반대되는 화학변화의 과정이라고 볼 수 있다. 저자들이 사용한 부식용제는 불화수소산과 불화암모늄수용액이다. 이 두 용제는 결정육성에서 표면부식용으로 흔히 사용하는 etching reagent이다. 결정이 성장 할 때에 그 morphology는 결정핵 또는 결정종자가 위치하고 있는 장소에 의하여 민감하게 영향을 받는다. 부식작용이 유사한 용제에서 4배 정도로 원자수준에 접근했다면 그것은 필경 용제의 입체적인 상호작용에 의한 차이의 결과일 것이다. 용제의 선정이 기판재료의 표면처리에 크게 영향을 미친다는 것을 보여준 좋은 논문으로 보인다.

□ Si반도체의 여러 결정방향에 관하여 위의 용제를 이용하여 실험을 수행하면 매우 좋은 통계적인 자료가 얻어지게 될 것이며 용제의 화학구조에 대한 부식의 반응기구도 해명될 것이다.

저자

Takayuki TAKAHAGI ; Hiroyuki SAKAUE ; Yutaka TANIGUCHI ; Yosuke OKAMURA (etc.)

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2004

권(호)

47(2)

잡지명

진공(C040)

과학기술
표준분류

재료

페이지

65~69

분석자

박*학

분석물

• Si(100)웨이퍼표면의 원자수준제어와 그 평가.pdf [237,681 byte]

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