Si 산질화막/Si(001) 계면연구의 최근의 전개 (Atomic Structure Analysis of SiO2/Si and Si3N4/Si Interfaces)

전문가 제언

□ SiO2/Si(001) 계면에서의 산화기구는, 기판방향으로 산화가 불규칙하게 일어나서 결정의 SiO2층을 형성한다. 그리고 결정의 SiO2/Si 계면에서는 기판방향으로의 산화가 억제되는데 그 이유는 이 계면에 큰 격자변형이 발생하기 때문이라고 생각한다.

□ 고분해능(高分解能) 전자현미경의 최대 특징은 물질의 국소(局所)구조의 연구에 적합하므로 결정의 계면 및 표면의 관찰은 지금도 재료의 국소영역의 평가기술의 중심으로 되어 있다. 최근의 고분해능 투과형전자현미경(HREM)의 분해능은 1~2Å에 이르렀다고 하므로 국소영역의 평가도 곧 이러한 수준으로 실행될 것 같다.

□ HREM법으로 국소조직을 관찰하는 방법을 단면 투과전자현미경법이라고 하는데 이방법의 결점은 시료의 두께방향으로 凹凸(원자의 포개짐)이 있으면 상의 해석이 곤란하다. 그러므로 국소구조의 X-선 회절실험도 동시에 실시하여 실험결과를 고찰할 때 X-선 회절법과 상호 보완하는 평가연구가 바람직하다고 생각된다.

저자

Nobuyuki Ikarashi, Koji Watanabe, Yoshiyuki Miyamoto

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2004

권(호)

43(2)

잡지명

Bulletin of the Japan institute of metals(N103)

과학기술
표준분류

재료

페이지

108~112

분석자

오*동

분석물

• Si 질화막-Si(001) 계면연구의 최근의 전개.pdf [189,809 byte]

이미지변환중입니다.