양자 도트 계면 사이트의 선택적 X선 흡수측정(Semiconductor Electronics : Site-Selective X-Ray Absorption Measurement of Buried Quantum Dot Interface)

전문가 제언

□ 이 글은 고 휘도 광 과학연구 센터에 있는 Masashi Ishii, 이화학연구소에 근무하는 Kazunari Ozasa 그리고 Yoshinobu Aoyagi에 의하여 일본 문부과학성 연구비를 지원받아 일본재료과학저널에 실린 논문이다.

□ X선은 전자파 가운데서 파장이 1Å전후의 것으로 명확한 한계는 정해져 있지 않으나 수백Å에서 10-2Å의 범위에 있다. 장파장은 원자외선에 접해있고 단파장은 γ선과 중복되어 있다. 전자의 제동방사에 의한 연속 X선과 원자의 내각전자의 천이에 의한 고유X선이 있다. X선 등의 쬐임에 의하여 발생하는 2차 X선도 있다. 우주공간에도 X선의 강도가 존재한다. X선은 물질에 대한 투과능이 일반적으로 크고 파장이 짧을수록 투과가 잘 된다.

□ 이 논문은 제목에서 말하듯 매우 학술적인 논문에 속한다. 논문의 핵심은 InAs를 GaAs에 매몰해서 양자 도트를 만들고 벌크 내의 InAs의 전자상태가 X선 흡수 스펙트럼에서 다르게 나타나는 것으로 X선이 선택적으로 흡수하는 것으로 추정결론을 내린 것 같다. Ga은 전자배열이 4s2, 4p1이고 In은 5s2, 5p1이다. 이 2원소의 이온화 전위차는 매우 근소하다. 그래서 흡수 스펙트럼을 얻는 데는 상당히 어려울 것으로 보인다. 실험을 상온에서 수행한 것으로 보이는데 저온 분위기를 만들어 온도차에 의한 흡수스펙트럼이 얻어지는지를 확인했으면 하는 아쉬움이 있다.

□ 양자 도트의 사이트를 결정하는 하나의 방법이 제시되었는데 이 방법이 이론적으로 입증만 되면 많은 화합물의 사이트선정도 같은 방법으로 가능하리라고 보기 때문에 반도체 소재연구에 크게 기여할 것으로 보인다.

저자

Masashi ISHII ; Kazunari OZASA ; Yoshinobu AOYAGI

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2003

권(호)

52(12)

잡지명

재료(A054)

과학기술
표준분류

재료

페이지

1405~1409

분석자

박*학

분석물

• 양자Dot계면 사이트의 선택적X선 흡수측정-교정.pdf [244,412 byte]

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