플라즈마 화학기상증착법을 활용한 고품질의 배향성 다결정 실리콘 박막형성기술과 용도

전문가 제언

□ UHF대로 생성한 플라즈마를 사용한 화학기상 증착법은 플라즈마는 개선된 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD)의 일종으로 플라즈마 화학기상증착법의 장점은 다른 일반적 화학기상증착법보다 저온(약 100℃)에서 박막을 형성할 수 있다는 점이 큰 장점이다. 일반적으로 플라즈마 화학기상 증착법에서 방전을 일으키는 전원은 직류 또는 고주파의 두 가지로 구분된다.

○ 여기서 사용되는 고주파는 RF(13.56 MHz)와 극초단파(2.54 GHz)를 대표적으로 사용하고 있다. 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 다결정 실리콘 박막은 입경이 작고, 결정배향성이 불규칙적이고, 비정질실리콘 층이 초기 성장단계에서 형성된다는 문제점이 있어 실용적인 TFT에의 응용에는 도달하지 않았다.

○ 플라즈마 화학기상 증착법에서 100℃ 정도의 저온에서 결정화율이 100%에 가까운 박막을 형성한다는 것은 상당히 곤란함에도 결정배향성의 제어에 장치의 간단한 조작으로 배향성을 제어하는 기술의 구축이 되었다면 획기적인 연구일뿐더러 이를 토대로 향후“ 자율형 나노 제조장치”의 연구개발이 실현되면 TFT의 기술발전에 기여할 것으로 사료되나 앞으로 이를 양산화기술개발에는 대 면적 박막다결정실리콘 고속 막 제조기술개발, 가동률 향상 요소기술 및 이에 따른 안정 생산성 향상 기술개발 등 해결되어야 할 기술들이 많음.

□ UHF대로 생성한 플라즈마를 사용한 화학기상 증착법은 플라즈마의 기술과 아울러 높은 전자밀도, 전극에 의한 오염 및 대 면적 박막 및 고품질 박막제조 등의 장점이 있는 ICP(Inductively Coupled Plasma)-화학기상 증착법) 및 RP(remote plasma)-화학기상증착법과 높은 전자밀도를 유발하는 자성체 및 극초단파(microwave)를 장치를 이용하여 낮은 온도에서 박막을 제조하는 ECR(Electron Cyclotron Resonance) -화학기상 증착법에 대한 기술도 검토하여 고품질의 배향성 다결정 실리콘 박막형성기술에 응용하여 실용화에 따른 장단점도 비교해보는 것도 바람직하다.

저자

Masaro Hori

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2004

권(호)

52(3)

잡지명

공업재료(A028)

과학기술
표준분류

재료

페이지

50~54

분석자

임*웅

분석물

• 플라즈마 화학기상증착법을 활용한 고품질의 배향성 다결정 실리콘 박막형성기술과 용도.pdf [223,385 byte]

이미지변환중입니다.