최근의 리소그래피의 화제(Prospects of semiconductor lithography)

전문가 제언

□ 반도체 로드맵의 견인차인 리소그래피 기술의 주역은 KrF(248nm), ArF (193nm) 엑시머 레이저를 광원으로 한 광 리소그래피가 현재 주종을 이루고 있지만 마스크 및 레지스트 기술의 혁신에 의해 65nm 노드의 양산을 목적에 두고 있다. 차세대 리소그래피의 등장은 늦어져 45nm 노드 이하의 주종은 확정되어 있지 않다. 차세대 리소그래피 기술은 F2 레이저(157nm)에서 EUV(13.5nm)로의 광의 단파장화 노선과 전자선을 활용한 전자빔 리소그래피로 대별된다. 최근에는 액침 리소그래피 기술을 이용하여 ArF 및 F2 리소그래피 기술을 연장하는 개발이 활발하게 진행되고 있고 임프린트 리소그래피 기술도 반도체로의 활용이 검토되고 있다.

□ 국내 업계에서는 향후 몇 년 안에 상업화하려는 기술은 EUV와 E- beam 리소그래피이다.

□ EUV 리소그래피는 해결해야 할 과제가 자금과 자원의 간격을 좁힐 것, mask business model 해결, exposure tool 활용성 추진 그리고 2007년 50nm 양산 라인에 EUV 리소그래피의 적용에 있다.

□ EPL의 해결해야 할 과제는 공격적인 입안/집행과 확장성 시연을 통해 로드맵 가속화에 부응하는 문제, 마스크 비즈니스 이슈(mask business issue) 완화, end-user 신뢰 구축, 의사 결정 리스크 저감에 있다.

□ 레지스트 고분자에 있어서 지환족을 쓰면 분자 구조상 C/H 비율이 높아져 플라스마 에칭 저항성이 커지는 장점이 있고 193nm의 광흡수가 낮아 노보르넨 구조를 이용한 레지스트 고분자에 대한 연구가 많다.
천연에서 유래한 지환족(alicyclic)에는 담즙산 유도체를 이용한 고분자도 레지스트 재료로 발표되고 있다. 또한 157nm의 파장역의 광에 대한 흡수를 적게 하기 위해 이들 지환족의 구조 중에 수소를 불소로 치환한 화합물도 레지스트로 발표하고 있다.

저자

Masaru SASAGO ; Masayuki ENDO

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2004

권(호)

73(2)

잡지명

응용물리(A005)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

199~205

분석자

고*성

분석물

• 최근의 리소그래피의 화제.pdf [187,448 byte]

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