고해상도 전자선 resist재료-Calixarene

전문가 제언

□ 전자제품이 점점 적어지고 고직접화 되며 패턴의 nano화는 현실로 다가오고 있다. 패턴을 만들어 내는 두 요소는 beam과 resist이고, 최근에 beam의 종류도 다양해지며 직경이 적어지므로 여기에 상응하는 resist의 개발도 필연적이다.

□ 생산적인 측면에서는 해상도, 감도(생산성과 직결), roughness, 수율, 그리고 품질의 균일성 등 많은 요소가 종합적으로 해석되고 실행되지만, 연구.발 단계에서는 근본적인 요소에 대한 가능성을 중심으로 논하므로 본 보고서에서도 해상도와 감도 그리고 roughness를 집중 소개하였다.

□ resist의 분자량이 증가하면, 감도는 낮아져, 적은 노광(광, laser, electron 등 모두 포함)시간에 결과적으로 적은 에너지로 작업을 할 수 있으나, 대신 분자량의 크기에 반비례하는 해상도의 저하와 거대 분자의 응집에 의한 roughness의 저하라는 상충하는 문제점들을 야기시키고, 최근의 nano device가 요구하는 해상도는 분자량이 1000 이하 정도만이 가능하므로 새로운 물질의 발굴이 필연적이다.

□ calixarene은 특이한 benzene ring이 서로 환상 결합한 형태로 1000 이하의 분자량에서도 융점과 glass 전이온도가 실리콘 웨이퍼에 spin dope할 수 있는 resist의 충분조건이 되며, 아울러 안전용매도 확보되어, 낮은 분자량에도 비교적 높은 감도와 특히 nana order의 해상도가 가능하므로 resist로의 기본 성질은 만족한 상태이므로 좀 더 세심한 연구, 개발을 통하여 확산이 되었으면 하는 바람이다.

저자

Ochiai

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2003

권(호)

25(12)

잡지명

QplusE(F039)

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

1341~1348

분석자

임*산

분석물

• 고해상도 전자선 resist재료-Calixarene.pdf [218,748 byte]

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