* 전자선 리소그래피에 의한 나노미터 수준의 미세가공기술

전문가 제언

□ 저분자량의 전자선 리소그래피용 네가형 레지스트로서 NEC가 미국에 특허를 등록한 USP 5,702,620 및 USP 5,143,784로 공개한 것을 포함한 칼릭스아렌 레지스트가 현시점에서 가장 미세한 패턴을 그릴 수 있는 유기 레지스트이며 국내에서도 네가형 저분자량 레지스트를 적극적으로 개발할 필요가 있다.

□ 소자의 미세화에 잘 쓰이는 리프트오프법은 패턴작업 후 금속을 증착하고 용제로 레지스트를 박리하여 금속패턴을 형성하는 것이다. 높은 해상도를 얻으려면 레지스트의 두께가 얇아야 하는데 막의 기계적 강도의 향상과 드라이 에칭 저항성을 주기 위해 레지스트에 fullerene을 함유시켰다. 이러한 개념을 전자선 리소그래피용 레지스트의 개발에 고려함이 바람직하다.

□ 전자선 나노 리소그래피의 기술 개발에는 대형의 특수설비가 필요하고 정비 및 활용의 노하우가 요구된다. 따라서 일본에서는 문부과학성 산하 Tokyo공업대학 양자효과 일렉트로닉스 연구센터에서 전자빔 노광에 의한 3차원 나노 구조 구축 지원기관으로 선정되어 대학 및 기업체 연구원들이 무료로 이용하고 있다. 본 센터의 특수 장비는 기업체에서 퇴직한 오랜 경험을 가진 전문가를 고용하고 있다. 지원형태는 기술대행, 공동연구, 장치의 직접사용의 세 가지가 있다. 본 지원사업의 제공을 받은 경우의 의무사항은 지원결과의 공개이다. 이러한 기술개발 협조체제의 참고가 요망된다.

□ 국내에서는 한국과학기술원(KAIST)이 반도체 연구용 나노팹(nano fab)을 시설중인 바 시설이 완공되면 제도적으로 연구기관, 기업체와의 효율적인 연구개발 시스템으로 초미세 패턴 기술 개발의 미래를 창조해야 할 것이다.

저자

Miyamoto

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

정밀기계

연도

2003

권(호)

25(12)

잡지명

QplusE(F039)

과학기술
표준분류

정밀기계

페이지

1328~1335

분석자

고*성

분석물

• 전자선 리소그래피에 의한 나노미터 수준의 미세가공기술.pdf [193,307 byte]

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