반도체 박막 자기센서와 그 응용

전문가 제언

□ 홀소자에 요구되는 특성의 중요한 점은 소자의 온도의존성은 낮게, 자계 감도를 높이면서 출력을 크게 얻기 위해서는 소자 박막의 전자이동도, 전자농도, 시트 저항치 등을 높게 해야 하는데, 이 상충점의 해결은 박막을 얇게 해야 하는 것이다. 이를 위해 소자와 격자정합이 좋은 절연층이나 샌드위치 층을 도입해야 하며, 이러한 구상은 전도대의 밴드 갭 차를 크게 하는 것이 된다.

□ 소자의 박막단결정을 MBE법으로 Si이나 Sn을 도핑하여 저항치나 전자이동도의 온도의존성을 대폭 저하시키는 방법은 고감도 자계센싱, 넓은 온도영역에서의 구동성, 오프셋 온도안정성에도 우수성을 보인다. 이는 촉매물질의 도핑으로 소재 특성에 다양성을 보임에 따라 전자 밀도와 이동도를 고려한 다양한 첨가물 개발은 좋은 결과를 줄 수 있는 가능성을 보여 주고 있다.

□ InSb 박막홀소자는 시장의 90%정도를 차지하고 있고, GaAs 및 InAs등이 그 뒤를 잇고 있다. 이들 소자는 진공증착으로 시작하여 MBE법에 의한 단결정 InAs 박막 제조, InAs의 깊은 양자우물구조 제조, 단결정 InAs 박막 제조 등 제조방법의 개선 및 하이브리드 홀 IC 개발 등 인텔리전트화와 비접촉 회전센서 등의 응용도 기대된다. 고속운동물체의 위치나 회전속도를 검출하는 홀소자나 자기저항소자로 이용되는 가능성도 관심분야이다.

저자

Shibasaki Ichiro

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2003

권(호)

14(10)

잡지명

철도와전기기술(N159)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

8~15

분석자

손*목

분석물

• 반도체 박막 자기센서와 그 응용.pdf [183,843 byte]

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