*GaN 단결정의 성장(Crystal growth of GaN single cryStaI)

전문가 제언

□ 사파이어 등 이종(異種)의 단결정 기판위에 GaN 박막을 생성 시켜서 디바이스(device)로 사용하는데, 양쪽 결정격자 간의 부정합(不整合)에 의한 결함 및 각기 다른 열팽창율의 차에 의해서 박막 디바이스 내에 발생하는 결함이 나쁜 영향을 미치고 있다. 이 결함을 감소시키기 위한 방안의 하나로 GaN의 단결정을 X- 선 회절법으로 구조를 조사한 후, 결정내의 원자 배열의 특성을 이용하여 원자의 배향(prefered orientation)에 부합하도록 박막을 생성하는 기술검토가 필요하다고 사료 된다.

□ GaN 단결정을 성장시키는 방법으로서 기상법을 이용할 때는 NH3 기류 중에서 최대 2in. 정도의 단결정 기판을 제작 하였다고 하고, Na등의 융제를 이용하는 액상법으로부터의 성장법에서는 수 mm~수 10mm의 단결정을 성장시켰다고 보고하였다. 그러므로 국내의 GaN 단결정 성장에 관한 연구에서는 기상법에 의한 성장법의 방향으로 적극 검토하는 것이 타당하다고 사료 된다.

□ GaN 등의 단결정을 생성 혹은 성장시키는 조건은 기상법이든 액상법이든 간에 고온과 고압 하에서 장시간의 반응에 의해서 성장되며, 항상 위험에 노출되어 있으므로, 반응장치의 온도와 압력 조절기능 및 출발원료를 장입하는 용기 등의 재질을 반응조건에 맞도록 설계되어야 하며, 안전사고에 대비해야 할 것으로 사료된다.

□ 고품위의 GaN 단결정을 성장시키려면 반응을 촉진시키는 첨가제나, 온도와 압력의 상관성 및 출발원료의 용해도 등의 기초적인 검토와 확인이 필수적이라고 사료된다.

저자

YAMANE Hisanori. AOKI Masato and SHIMADA Masahiko

자료유형

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2003

권(호)

73(11)

잡지명

KINZOKU(Materials Science & Technology)(A112)

과학기술
표준분류

재료

페이지

28~32

분석자

오*동

분석물

• GaN 단결정의 성장.pdf [215,110 byte]

이미지변환중입니다.