내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

첨단기술정보

home
알림마당
과학기술정보분석
첨단기술정보

원자 확산접합으로 고방열 SiC 기판 상에 제조한 InP-DHBT

전문가 제언: ○ 데이터 전송기술의 발전으로 스마트 폰에 동화상과 각종 클라우드 정보가 제공되고 있다. 100Gbit/s 통신 속도가 InP-DHBT 트랜지스터에 전송하게 되면 트랜지스터에 과도한 대전류가 인가되어서 자기발열로 인한 디바이스의 열화가 빨라지고 수명이 짧게 되는 문제가 있다. 이러한 문제를 개선하기 위해서 상온 및 저압에서 원자 확산접합으로 텅스텐 금속접합을 이용해서 SiC 기판위에 InP_DHBT 제작에 성공했다.

○ 디바이스에서 방출되는 열을 신속하게 외부로 방출하기 위해서 SiC 기판의 열전도율을 높여야 한다. 실온에서 SiC 열전도율은 약 175 W/mK 이며 공기는 0.0257 W/mK으로 대단히 낮으므로 SiC의 공극율은 2% 이하를 낮게 해서 열전도율을 높여야 한다. SiC에 Fe, Ni, Cu, Al 등과 같은 금속을 약 0.05ppm ∼0.1ppm 포함시키면 열전도율은 약 25 ∼30%정도 향상되므로 SiC 제조공정의 최적화가 필요하다.

○ 금속 또는 비금속 등 동종 혹은 이종의 소재 및 부품을 열, 압력, 삽입재 등을 이용하여 접합하는 분야의 세계시장은 전자 접합공정 소재를 중심으로 2018년까지 약 13% 성장이 기대하며 국내시장 규모는 2015년에 약 1.2조 원 규모가 예상되며 2018년까지 약 13%의 성장이 기대된다. (중소기업기술로드맵 발행연도 2015년). 접합기술은 반도체뿐만 아니라 디스플레이, 전자부품과 같은 첨단산업분야 및 자동차분야 등의 넓은 산업분에서 적용되고 있다.

○ 2000년∼2013년에서 접합용접 분야의 세계 특허는 14,592건으로 2000년 중반이후 감소하며 일본이 6904건(47%)으로 출원이 가장 많으며 한국은 약 20%를 차지한다. 국내 출원인은 대기업이 35%, 해외출원인이 20%, 중소기업이 20%, 개인출원인이 17%, 대학/연구소 등이 8%로 대기업과 중소기업 등이 주도한다. 클라우드 및 빅데이터 전송시대에 반도체시장은 더욱 크질 것으로 예상된다. 접합 전문기업 등은 한국 반도체의 성숙한 시장을 활용해서 SiC 및 금속첨가 SiC 등의 복합재료를 활용해서 부가가치 높은 재료시장으로 진출이 필요할 것으로 예상된다.

저자: Masataka Watanabe, et al.
자료유형: 니즈학술정보