반도체 장치의 결함해석

저자

박*준, 최성배, 오창섭

게재저널

에너지공학, 25(1), 2016

키워드

semiconductor device, fault analysis of semiconductor, SEM, TEM, FIB

개요

  최근 반도체 디바이스의 고장해석으로부터 고장부의 구조 및 조성결함의 해석법과 그 응용 예에 대하여 서술하였다. 향후에는 디바이스 스피드의 고속화와 디바이스 다기능화가 진행되어 디바이스의 구조는 더욱 미세화되고 사용재료도 더욱 복합화 될 것으로 전망된다. 결함해석기술은 그와 같은 디바이스의 수율을 유지하는 것이 대단히 중요하고 또한 고정밀화, 신속화가 요구된다. 최근에는 디바이스 국부영역을 워자레벨의 높은 분해능으로 3차원적으로 직접 관찰하는 기술도 개발되고 있어, 해석현장에서의 원자레벨의 결함해석도 곧 이루어지게 되었다. 고장위치의 특정과 특정한 위치를 시료제작 장치 내에서 정확하게 발견하는 기술은 아직 미흡하다. 향후 디바이스 결함해석에 있어서 광, 이온 및 전자 등을 이용한 검사 장치와 해석 장치의 역할이 대단히 중요하며 결함해석기술의 신뢰성을 더욱 향상시키기 위해서는 이들을 잘 융합시키는 방법이 대단히 중요하다.

첨부파일

• 박석준_에너지공학_2016.pdf [6,357,505 byte]

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